電子元件問題，電子元件問題

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1：A 是 N 溝道 FET，可通過 ID 電流在 RE 上產生自給自足的反向偏置電壓，並可在恆流狀態下工作。

2：B、長亮C為N溝道增強型MOS管，GS只能正向偏置工作，不可能在恆流狀態下工作，如圖所示。

3：D 是 V 溝道 FET，具有由 VOO 提供的正向偏置，電路可以在恆流狀態下工作。

場效應電晶體（FET））縮寫為場效應電晶體。主要有兩種型別（結型FET-JFET）和金屬氧化物半導體FET（MOS-FET）。 導電是通過擊敗大多數載流子（也稱為單極電晶體）來實現的。

它是一種電壓控制的半導體器件。 具有輸入電阻高（10 10）、低雜訊、低功耗、動態範圍大、易於整合、無二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點，已成為雙極電晶體和功率電晶體的有力競爭者。 場效應電晶體（FET）是利用控制輸入環路的電顫動場效應來控制輸出環路電流的半導體器件，並以此命名。

因為它僅通過半導體中的大多數載流子導電，所以它也被稱為單極電晶體。

瞬態抑制二極體。

當電路出現異常過電壓並達到其擊穿電壓時，它迅速由高電阻變為低電阻，為瞬時電流提供低阻抗導通路徑，同時將異常高壓鉗位在安全水平內，以保護被保護的IC或線路; 當異常過電壓消失時，它回到高阻抗狀態，電路正常工作。

似乎已經燒壞了。

從視覺上看，它是乙個肖特基二極體，它已經燒壞了。

這裡的燒毀意味著電路的其他部分也會受到過壓和過流的影響，並且很可能其他地方的元件會損壞。

這是一種瞬態抑制二極體，在正向上與普通二極體相同，並抑制了反向的電壓尖峰。

什麼元件，萬用表可以斷開連線，不是嗎。

成分：工廠加工的產品分子組成不變，產品可稱為成分，不需要能清除電源的裝置。

它包括：電阻器、電容器、電感器。 （也稱為無源元件）。

器械：在生產加工過程中改變其分子結構的器械稱為器械。

這些裝置分為：1有源器件的主要特點是：（1）其自身的電能消耗（2）。它還需要乙個外部網橋來啟動源。

2.分立器件，分為（1）雙極晶體、三極敏感電晶體、（2）場效應電晶體、（3）閘流體和（4）半導體電阻電容器。

3.模擬積體電路主要是指由電容器、電阻器、電晶體等組成的積體電路，用於處理模擬訊號。 模擬積體電路有很多，如整合運算放大器、比較器、對數和指數放大器、模擬乘法（除法）器件、鎖相環、電源管理晶元等。

模擬積體電路的主要元件有：放大器、濾波器、反饋電路、基準電路、開關電容電路等。 模擬積體電路設計主要由經驗豐富的設計人員通過手動電路除錯和模擬獲得，大部分相應的數字積體電路設計都是在EDA軟體的控制下，利用硬體描述語言自動合成的。

220V的電壓在電路中會有電流，如果有電流就會消耗電能，構成電路的材料也決定了電路可以承載的電流強度。

消耗的電能可以用公式u=v*v r表示，電流可以用v r表示。 也就是說，電阻越大，功率越小，電流越小。 兩個串聯的1000k是2000k，功率只有24瓦左右，電路只有110毫安。

這是少量的電流和功率，與節能燈大致相同，所以這沒有錯。

而直接連線，電阻主要是導線的電阻和接觸電阻，基本上只有1歐姆左右。 電流達到幾百安培，功率達到數萬瓦，對於普通家庭的電力供應來說是無法承受的。 所以它會是砰的一聲。

如何稱它為直接連線，它會砰砰作響。

首先，單從封裝的角度來看，是TO220封裝，一般是電晶體或MOSFET，可以是三極體、達林頓電晶體、雙二極體或FET。 從隨附的文字來看，應該是兩個相對的PN結，可能是三極體或雙二極體，因為FET的柵極斷開，二極體檔案無法測量值，而達林頓二極體檔案測量的值會相差很大，大概是兩倍左右。 在工作狀態下，如果電晶體工作在放大狀態，則1引腳和2引腳之間的電壓差只有零點幾伏，如果電晶體工作在截止狀態（如果也被認為是工作狀態），則BE結（1和2引腳之間）的反向擊穿電壓遠小於CB結， 而且很難達到160伏以上，而圖中的兩個結是160伏以上的反向偏置，所以很可能是雙二極體。

下面是乙個雙二極體**，

如果在電子變壓器次級，它應該是雙二極體。

霓虹氣泡是一種無色惰性氣體（氖氣）燈泡管，安裝在電探測器中，在電場的激勵下，它能產生強烈的紅光透射，當物體帶電時，用筆測試霓虹燈泡的紅度，否則霓虹燈泡不亮; 光的亮度隨電壓而變化。

這是乙個霓虹燈泡泡。 沒有燈絲。