微控制器的外部晶體振盪器電路是怎麼回事，如何計算所選的電容

起始後晶體振盪器的頻率是否準確，所選的C1和C2是否符合晶體振盪器規格的負載電容要求，計算公式如下：Cl=C1*C2（C1+C2）+5Pf; 計算出的CL值應盡可能接近晶體振盪器規格要求的負載電容，以獲得晶體振盪器標稱頻率的振盪頻率。

一般電容的計算公式為：

兩側電容為CG、Cd，負載電容為CL

cl=cg*cd/(cg+cd)+a

也就是說，如果負載電容為15pf，則兩邊接為27pf，一般為a。

微控制器晶體振盪器電路中兩個電容器（負載電容器）的作用是將電能轉換為其他形式的能量。 如果沒有這兩個電容器，振盪部分將停止振動，因為沒有電路。 電路工作不正常。

振盪器振盪頻率由不同的負載頻率決定。 對於標稱頻率相同的晶體振盪器，負載電容不一定相同。 因為石英晶體振盪器有兩個諧振頻率，乙個是帶有串聯振盪器的低負載電容晶體振盪器

另一種是帶併聯振盪器的高負載電容晶體振盪器。

因此，在更換相同標稱頻率的晶體振盪器時，負載電容必須一致，不能貿然更換，否則會導致電器工作異常。

電動機可以將電能轉化為機械能，電阻器可以將電能轉化為熱能，燈泡可以將電能轉化為熱能和光能，揚聲器可以將電能轉化為聲能。 電機、電阻器、燈泡、揚聲器等都稱為負載。

電晶體也可以看作是前乙個訊號源的負載。 負載最基本的要求是阻抗匹配和它能承受的功率。

微控制器晶體振盪電路中與晶體振盪器相連的兩個電容器稱為負載電容器，其作用是振盪器的振盪頻率因負載頻率不同而不同。 對於標稱頻率相同的晶體振盪器，負載電容不一定相同。

晶體振盪器是指在一定方位角下從一塊石英晶體上切下薄片（簡稱晶圓），石英晶體諧振器，簡稱石英晶體或晶體、晶體振盪器; 在封裝內部增加IC以形成振盪電路的晶體元件稱為晶體振盪器。 其產品一般採用金屬外殼包裝，也採用玻璃外殼、陶瓷或塑料包裝。

微控制器的晶體振盪器的電容是陶瓷電容器。

1.陶瓷電容器是以陶瓷材料為介質，在陶瓷表面塗上一層金屬膜，然後在高溫下燒結為電極的電容器。 它通常用作環路、旁路電容器和焊盤電容器，用於高度穩定的振盪電路中。

2、瓷器的電容分為高頻瓷中型和低頻瓷介質兩種。 在高度穩定的振盪電路中，正電容溫度係數較小的電容器用作電路電容器和焊盤電容器。 低頻陶瓷介電電容器僅限於低工作頻率電路中的旁路或阻直電路，或穩定性和損耗要求不高的電路，包括高頻。

這種電容器不應用於脈衝電路，因為它們容易被脈衝電壓擊穿。

當然是陶瓷電容器電容器，因為電解電容器沒有這麼小的電容。

一般微控制器上的晶體振盪起始電容在15pf-50pf之間

陶瓷電容器或CBB電容器。

12M晶體振盪器常用20-30P瓷電容器。

事實上，沒有人能解釋如何選擇這兩個電容器的值，因為22pf太小了。 這只能說與內部振盪電路本身的特性有關，是用來校正波形的，沒人深入研究過為什麼會這麼大。

具體資訊請參考：吳建英酒吧晶體振盪器介紹貢獻文件：《吳建英MCU專案實戰講座》。

一般來說，晶體振盪器電路有這兩個小電容器，它們是振盪電路的交聯電容器，如果沒有這兩個電容器，振盪部分會因為沒有電路而停止振動。 電路工作不正常。

這就是所謂的負載電容。 一般微控制器的晶體振盪器工作在併聯諧振狀態下，也可以理解為諧振電容的一部分。

也就是說，晶體振盪器的頻率是在晶體振盪器製造商提供的負載電容下測量的，可以最大程度地保證頻率值的誤差。 它還可以確保溫度漂移等誤差。

兩個電容器的值相同，或者相差不大，如果相差太大，就容易引起諧振不平衡，容易引起停止振動或乾脆不振動。

沒錯。

對於32kHz以上的晶體振盪器，當VDD大於該值時，約為C1=C2=30Pf。 乙個是調相電容，另乙個是增益穩壓電容。

晶體振盪器的負載電容Cl與兩端接地電容C1、C2的關係如下：Cl=（C1*C2） （C1+C2）+CS CS值一般為3 6Pf; 易於設計，一般取C1=C2C1=C2=30pf，則Cl的值一般為18-20pF。

微控制器（microcontrollers）是一種積體電路晶元，它是由採用超大規模積體電路技術整合最好的處理器CPU、隨機存取RAM、只讀儲存器ROM、各種IO埠和中斷系統組成的小型完美的微機系統組成的小型完美的微機系統， 定時器計數器等功能（其中還可以包括顯示驅動電路、脈寬調變電路、模擬多路復用器、AD轉換器等電路）變成矽片，廣泛應用於工業控制領域。從上世紀80年代，從當時的4位和8位微控制器，到現在的300m高速微控制器。

晶體振盪器的負載電容Cl與兩端接地電容C1、C2的關係如下：Cl=（C1*C2） （C1+C2）+CS CS值一般為3 6Pf; 易於設計，一般取C1=C2C1=C2=30pf，則Cl的值一般為18-20pF。

是的，除非您了解該技術的內幕，否則應該無法計算晶元的內部引數！！

zhouxdchina

中途，因為晶體振盪器本身有自己的電容，這是規範中規定的，所連線元件的分布電容約為5pf

外部晶體振盪器決定了微控制器的時鐘週期，即它執行的快慢。

有參考值，它們通常在硬體手冊中提供。 一般為30pf

一般來說，微控制器資料的人工測試會有引數要求。 但你也可以根據經驗來判斷，這取決於你使用的是哪一台微控制器。 51臺微控制器和12MHz多點。 STM32使用8MHz多點。

一般來說，微控制器晶體電容的容量選擇會在官方晶元資料中有所體現。

看看你的MCU。 比如51微控制器，你想方便的計算定時時間，那麼12m晶振，如果是用於串列埠通訊，那麼它仍然是。 我實際上使用 12m，並且會有亂碼字元。

對於STM32，為了方便倍頻，最好在經典中使用8M。 M級晶體振盪器，電容I一般用22pf。 K級，比如實時時鐘晶體，我用的是6pf。

為了電路的穩定性，建議在晶體振盪器的兩個引腳處將兩個陶瓷電容器接地，以減少諧波對電路穩定性的影響，因此晶體振盪器必須配備振動電容器，但對於電容器的具體尺寸沒有通用的計算公式， 而且不同晶元的要求也不同。

1.由於每個晶體振盪器都有自己的特點，因此最好根據製造商提供的數值選擇外部元件。

2. 在允許範圍內，C1 和 C2 值越低越好。 雖然較大的C值有利於振盪器的穩定性，但會增加啟動時間，更常見的是在15p到30p之間。 最好遵循提供的資料，如果沒有，一般在 30pf 左右。

它太小了，無法搖晃。