微控制器的外部晶體振盪器電路是怎麼回事，如何計算所選的電容

外部晶體振盪器用於提供微控制器的時鐘脈衝，外部晶體振盪器的兩個電容用於考慮晶體振盪器的雜訊，否則晶體振盪器提供的脈衝可能會受到干擾，從而使微控制器的時鐘不準確。 電容的選擇取決於晶體振盪器，每個廠家生產的晶體振盪器匹配電容器是不一樣的，大概在20pf左右，如果不知道實際匹配的電容器，可以選擇20pf的一般值，其實如果是實驗用的話，也可以加電容。

起始後晶體振盪器的頻率是否準確，所選的C1和C2是否符合晶體振盪器規格的負載電容要求，計算公式如下：Cl=C1*C2（C1+C2）+5Pf; 計算出的CL值應盡可能接近晶體振盪器規格要求的負載電容，以獲得晶體振盪器標稱頻率的振盪頻率。

一般電容的計算公式為：

兩側電容為CG、Cd，負載電容為CL

cl=cg*cd/(cg+cd)+a

也就是說，如果負載電容為15pf，則兩邊接為27pf，一般為a。

微控制器晶體振盪器電路中兩個電容器（負載電容器）的作用是將電能轉換為其他形式的能量。 如果沒有這兩個電容器，振盪部分將停止振動，因為沒有電路。 電路工作不正常。

振盪器振盪頻率由不同的負載頻率決定。 對於標稱頻率相同的晶體振盪器，負載電容不一定相同。 因為石英晶體振盪器有兩個諧振頻率，乙個是帶有串聯振盪器的低負載電容晶體振盪器

另一種是帶併聯振盪器的高負載電容晶體振盪器。

因此，在更換相同標稱頻率的晶體振盪器時，負載電容必須一致，不能貿然更換，否則會導致電器工作異常。

電動機可以將電能轉化為機械能，電阻器可以將電能轉化為熱能，燈泡可以將電能轉化為熱能和光能，揚聲器可以將電能轉化為聲能。 電機、電阻器、燈泡、揚聲器等都稱為負載。

電晶體也可以看作是前乙個訊號源的負載。 負載最基本的要求是阻抗匹配和它能承受的功率。

微控制器晶體振盪電路中與晶體振盪器相連的兩個電容器稱為負載電容器，其作用是振盪器的振盪頻率因負載頻率不同而不同。 對於標稱頻率相同的晶體振盪器，負載電容不一定相同。

晶體振盪器是指在一定方位角下從一塊石英晶體上切下薄片（簡稱晶圓），石英晶體諧振器，簡稱石英晶體或晶體、晶體振盪器; 在封裝內部增加IC以形成振盪電路的晶體元件稱為晶體振盪器。 其產品一般採用金屬外殼包裝，也採用玻璃外殼、陶瓷或塑料包裝。

微控制器的晶體振盪器的電容是陶瓷電容器。

1.陶瓷電容器是以陶瓷材料為介質，在陶瓷表面塗上一層金屬膜，然後在高溫下燒結為電極的電容器。 它通常用作環路、旁路電容器和焊盤電容器，用於高度穩定的振盪電路中。

2、瓷器的電容分為高頻瓷中型和低頻瓷介質兩種。 在高度穩定的振盪電路中，正電容溫度係數較小的電容器用作電路電容器和焊盤電容器。 低頻陶瓷介電電容器僅限於低工作頻率電路中的旁路或阻直電路，或穩定性和損耗要求不高的電路，包括高頻。

這種電容器不應用於脈衝電路，因為它們容易被脈衝電壓擊穿。

當然是陶瓷電容器電容器，因為電解電容器沒有這麼小的電容。

一般微控制器上的晶體振盪起始電容在15pf-50pf之間

陶瓷電容器或CBB電容器。

沒錯。

對於32kHz以上的晶體振盪器，當VDD大於該值時，約為C1=C2=30Pf。 乙個是調相電容，另乙個是增益穩壓電容。

晶體振盪器的負載電容Cl與兩端接地電容C1、C2的關係如下：Cl=（C1*C2） （C1+C2）+CS CS值一般為3 6Pf; 易於設計，一般取C1=C2C1=C2=30pf，則Cl的值一般為18-20pF。

微控制器（microcontrollers）是一種積體電路晶元，它是由採用超大規模積體電路技術整合最好的處理器CPU、隨機存取RAM、只讀儲存器ROM、各種IO埠和中斷系統組成的小型完美的微機系統組成的小型完美的微機系統， 定時器計數器等功能（其中還可以包括顯示驅動電路、脈寬調變電路、模擬多路復用器、AD轉換器等電路）變成矽片，廣泛應用於工業控制領域。從上世紀80年代，從當時的4位和8位微控制器，到現在的300m高速微控制器。

晶體振盪器的負載電容Cl與兩端接地電容C1、C2的關係如下：Cl=（C1*C2） （C1+C2）+CS CS值一般為3 6Pf; 易於設計，一般取C1=C2C1=C2=30pf，則Cl的值一般為18-20pF。

是的，除非您了解該技術的內幕，否則應該無法計算晶元的內部引數！！

zhouxdchina

中途，因為晶體振盪器本身有自己的電容，這是規範中規定的，所連線元件的分布電容約為5pf

外部晶體振盪器決定了微控制器的時鐘週期，即它執行的快慢。

有參考值，它們通常在硬體手冊中提供。 一般為30pf