起泡效應的基本原理，起泡效應的理論起源

電光效應。 一些晶體在受到電場作用時會產生額外的雙折射。

這種雙折射與外加電場的強度有關。

比例的。 1893 德國物理學家 FPoeckels首先研究了這種線性電光效應，因此得名。 對於晶體，通常使用折射率。

橢球體描述其折射率屬性。 在主軸坐標系中，可以寫成。 ⑴

當有外部電場時，晶體的折射率發生變化，因此方程項的係數也相應變化，可以寫成

該方程對應於折射率橢球體方程中 x2、y2、z2、yz、xz 和 xy 的係數變化。 ej（j=1,2,3） 分別表示電場的分量，ex、ey、ez; j 是光電張量。

它可以用 3 6 的矩陣表示，共有 18 個矩陣元素，其中一些可能為零，其中一些相互關聯。 這些關係取決於晶體的對稱性，只有在沒有中心對稱性的情況下。

（參見晶體物理性質的對稱性）。 如果光線沿著光軸。

傳播，在沒有外加電場的情況下，沒有雙折射; 如果同時存在平行於 z 軸的電場，則會產生雙折射。 它可以通過 Eq 獲得

其中 no 是晶體固有的普通光的折射率，NY'使用 NX'施加電場後晶體感應主軸y和x方向的折射率分別為。 為了使光波的偏振分量在x和y方向上的位置差為，需要加的電壓值稱為半波電壓，表示為v 2或v，並且，

其中 是真空中光的波長。 如上所述，光傳播方向平行於電場方向的情況稱為縱向電光效應。 氣泡盒是一種利用縱向電光效應製成的快速光電開關。

附圖顯示了這種電光開關的示例。 圓柱形電光晶體 KD*P 放置在兩個偏振片 P 和 A 之間。 圓柱體的對稱軸。

這是晶體光軸的方向。 垂直於光軸的兩個端麵是透明的。 偏振光分別用抾和·表示。

偏振方向平行於紙張表面，垂直於紙張表面。半波電壓 v 通過環形電極施加到晶體上。 當偏振器p平行於a的主軸時，由於兩個偏振分量的相位被半波電壓延遲，因此光路閉合，對應於偏振平面旋轉90°。

穿過 P 和晶體的偏振光正是 A 不允許通過的。 如果晶體上的電壓突然被撤回，光路立即成為一條路徑。 該光電開關的響應時間小於 1 納秒。

將氣泡盒放在脈衝雷射的共振處。

在腔體中，它可以用作Q調製元件。 在這種情況下，由於全反射鏡，雷射兩次穿過電光晶體，無需偏振器。 如果光在晶體中的傳播方向垂直於電場，則稱為橫向電光效應。

在這種情況下，可以通過增加縱橫比（淨方向的長度和電壓方向的厚度）來降低有效半波電壓。 這種方法常用於光光調製器中，用於光波幅度調製。 起泡效應也可用於製造電光偏轉器以改變光束傳播的方向。

它是由德國物理學家Poeckels於1893年發現的。 一些晶體在縱向電場（電場方向與光傳播方向一致）的作用下改變其各向異性性質，從而產生額外的雙折射效應。 例如，將磷酸二氫鉀晶體放置在兩個平行的導電玻璃之間，導電玻璃板形成可以產生電場的電容器，晶體的光軸與電容器板的法線一致，入射光沿晶體的光軸入射。

與克爾效應一樣，它是用正交偏振片系統觀察到的。 當不施加電場時，入射光在晶體中不會發生雙折射，並且光不能通過p2。 當施加電場時，晶體感應雙折射，光通過 p2。

波克爾效應與施加的電場強度的初級平方成正比。 大多數壓電晶體都能夠產生氣泡效應。 與克爾效應一樣，波克爾效應通常用於百葉窗、雷射的 Q 開關和光波調製。