關於記憶體 DDR2，關於記憶體 DDR

12個回答

匿名使用者2024-02-01

首先，你的問題不應該是“DDR2”。這不是 DDR2 與 DDR 的問題。

845不支援記憶體雙通道，CPU本身也不支援整合記憶體控制器，所以對雙通道的支援不如Intel，另乙個原因是由於主機板架構不同，AMD的記憶體效能不如DDR2，目前還不支援。

如果想購買DDR2，建議購買667頻率。因為DDR2的時序引數比DDR慢很多，所以頻率非常高，會比DDR有很大的優勢。由於時序引數較慢，533 和 DDR400 之間的實際效能差異可能很明顯，但並不顯著。

這就像為什麼 DDR 從 DDR266 而不是 DDR200 開始

好。廢話說了這麼多，現在轉向正確的身體。

記憶體的雙通道實際上是一種主板晶元組技術，而不是一種記憶體技術。要實現雙通道記憶體技術，必須使用兩個或四個相同大小和容量的記憶體。並且要嚴格按照安裝方法（主機板說明書介紹，一般是1+3或2+4或插上）。

事實上，這不是浪費，兩個 256 比乙個 512 快，但並不快多少。你可以先買乙個512，如果你認為可以，你不需要改變它; 如果你覺得不行，可以再買一台同品牌相同規格的512，這樣就形成了1G雙通道。
匿名使用者2024-01-31

他的第乙個建議是可以的，第二個建議你可以告訴他們的老闆，一般來說，你第二天回去時不會見到他。

因為我被解雇了。

第二個建議是很垃圾的。

845的板子最多配備DDR400，基本無法支援。

845 通常也不支援雙通道。

845前端匯流排最大有533個，加上CPU的800個外部頻段，100%的頻寬瓶頸。
匿名使用者2024-01-30

1.當然，雙通道需要兩個記憶體。

主機板不能在 AMD 的 CPU 上
匿名使用者2024-01-29

以上幾個人都很好，我只想說點實事求是的話，實現雙通道+超執行緒CPU多重操作會更快。
匿名使用者2024-01-28

DDR3 的工作電壓比 DDR2 低，效能比 DDR2 更好、更省電。 DDR2 的 4 位預讀已公升級為 8 位預讀，DDR3 最高可達 1600MHz，最快的 DDR2 記憶體速度已提公升至 800MHz 1066MHz，因此首批 DDR3 記憶體模組將從 1333MHz 躍公升。在COMPUTEX展會上，我們已經可以看到多家記憶體製造商展出了1333MHz DDR3模組。

DDR3 採用基於 DDR2 的 8 位預取設計。點對點拓撲架構和100nm以下生產工藝等最新技術。

由於 DDR3 的預取是 8bit，所以突發傳輸週期也固定在 8，而對於 DDR2 和早期的 DDR 架構系統，BL=4 也是常用的，DDR3 增加了 4bit 突發 CHOP 突發突變模式，即 BL=4 讀取操作加上 BL=4 寫入操作來合成 BL=8 資料突發傳輸，這種突發模式可以通過 A12 位址線控制。同樣重要的是要注意，任何突發中斷操作都將在 DDR3 記憶體中被禁用並且不受支援，並將被更靈活的突發傳輸控制所取代。

正如 DDR2 從 DDR 轉換後的延遲週期數增加一樣，DDR3 的 CL 週期也會高於 DDR2。 DDR2 的 CL 範圍通常在 2 5 到 5 之間，DDR3 的設計也發生了變化。在 DDR2 中，AL 的範圍為 0 4，而在 DDR3 中，AL 有三個選項，分別是 0、CL-1 和 CL-2。

此外，DDR3 還增加了乙個新的時序引數：“寫入延遲”，該引數將根據特定的工作頻率來確定。
匿名使用者2024-01-27

DDR3省電，速度更快 1333、1600、2000、2133買4g 1333是最實惠的，1600沒什麼好改進的，超過1600的熱度越來越大，2000+都在用開放式風扇。
匿名使用者2024-01-26

在實際使用中，速度提高了5%-10%左右！但是，DDR3 需要主機板支援，而不是只支援 DDR2 的主機板不能公升級到 DDR3！
匿名使用者2024-01-25

可以很容易地從頻率上分析。

DDR3 主流是 1600。

DDR2 主流是 800。

也就是說，可以理解為DDR3比DDR2快近2倍！
匿名使用者2024-01-24

效能並不高多少，但實際上增加了一點頻率。

DDR2 比 DDR1 好得多。
匿名使用者2024-01-23

它不會快很多，理論資料在實際應用中根本不會快。只不過 DDR3 比 DDR2 更能適應當前 CPU 的記憶體頻寬需求。
匿名使用者2024-01-22

昂達B365CD3主機板，369片，支援雙D3記憶體插槽，最高可達Intel i7 9700KF八核八線齊程CPU，是目前最強的CPU可以使用DDR3記憶體模組主機板，還可以支援i5 9400F六核六執行緒。

DDR3 在實現高頻寬的同時，其功耗可以降低，其核心工作電壓從 DDR2 到 DOR2，相關資料**DDR3 相比目前的 DDR2 將節省 30% 的功耗，當然，我們不需要擔心發熱。在頻寬和功耗之間取得平衡。
匿名使用者2024-01-21

相信很多朋友一定不了解DDR2和DDR3，想增加DDR3和DDR3L的基礎知識？如果您想知道，那麼讓我們和我們一起了解一下！那麼，DDR3和DDR3L到底是什麼？

DDR2 和 DDR3 之間的區別

1.邏輯庫數量不同：DDR2

SDRAM有4bank和8bank設計，以滿足未來對大容量晶元的需求。 DDR3 很可能從 2GB 容量開始，因此將有 8 個邏輯庫開始，16 個邏輯庫也為未來做好了準備。

2.不同的封裝：由於DDR3中增加了一些功能，引腳會有所增加，8BIT晶元使用78球FBGA封裝，16位晶元使用96球FBGA封裝; DDR2 採用 60、68 和 84 焊球 FBGA 封裝。並且DDR3必須是綠色包裝，不得含有任何有害物質。

3.突發長度不同：由於DDR3的預取是8位，所以突發傳輸週期（BL、突發

length）也固定為 8，BL=4 也常用於 DDR2 和更早的 DDR 架構。

DDR3 為此新增了 4 位突發

CHOP（Burst Mutation）模式，即使用BL=4讀取操作加上BL=4寫入操作來合成BL=8資料突發傳輸，這種突發模式可以通過A12位址線進行控制。

4.定址時序不同：正如DDR2從DDR轉換後延遲週期數增加一樣，DDR3的CL週期也會高於DDR2。 DDR2 的 CL 範圍通常在 2 到 5 之間，而 DDR3 的 CL 範圍在 5 到 11 之間，附加延遲（AL）的設計也發生了變化。

在 DDR2 中，AL 的範圍從 0 到 4，而在 DDR3 中，AL 有三個選項，分別是 0、CL-1 和 CL-2。此外，DDR3 還增加了乙個新的時序引數，即寫入延遲（CWD），該引數將根據特定的工作頻率來確定。