為什麼晶體振盪器旁邊的電阻這麼大

晶體振盪器旁邊的電阻（併聯和串聯）[YXC陽星晶體振盪器]。

電路在其輸出端串聯乙個22k電阻，在其輸出端和輸入端之間連線乙個10m電阻，這是由於連線晶體振盪器的晶元端內部是線性運算放大器，輸入反轉180度輸出，由晶體振盪器處的負載電容電阻組成的網路又提供了180度的相移， 並且整個環路的相移為360度，滿足振盪的相位條件，同時要求閉環增益大於或等於1，晶體才能正常工作。

晶體振盪器輸入輸出連線的阻性功能是產生負反饋，以保證放大器工作在高增益的線性區域，同時起到限流的作用，防止逆變器的輸出過度驅動晶體振盪器而損壞晶體振盪器。

通常使用與晶體振盪器串聯的電阻器來防止晶體振盪器過載。 晶體振盪器過驅的後果是逐漸損耗會減少晶體振盪器的接觸鍍層，這會導致頻率上公升，導致晶體振盪器的早期故障，這也可以說是用於驅動電平調節。 它用於調整驅動水平和振動裕度。

xin和xout的內部通常是施密特逆變器，逆變器不能驅動晶振**。 因此，在逆變器的兩端併聯乙個電阻器，輸出訊號180度反饋到輸入端，形成負反饋，形成負反饋放大器電路。 晶體和電阻，電阻和晶體的等效阻抗是併聯關係，想想電阻是大還是電阻小，晶體的阻抗小？

電阻的作用是在電路內部的逆變器上增加乙個反饋迴路，形成乙個放大器，當晶體和其中，反饋迴路的交流當量會根據晶體頻率產生諧振，因為晶體的q值很高，所以電阻在很寬的範圍內變化不會影響輸出頻率。

晶體的q值很高，q值是什麼意思？ 晶體的串聯等效阻抗為 ze = re + jxe， re<< jxe|晶體一般相當於乙個非常高的電感，與電感器相當，而導線的電阻相當於電感器很小。 Q 一般達到 10 -4 的量級。

避免訊號太強而無法破壞晶體。 阻力一般比較大，一般幾百k。

電阻用於限制振盪的幅度，根據LZ的晶體振盪器，進入的兩個電容一般在20 30P左右，為幾十MHz，主要用於微調頻率和波形，並影響幅度。

但是，當轉換為併聯等效阻抗時，RE越小，RP越大，這是乙個現成的公式。 晶體的等效RP非常大。 外部合併的阻力被合併到這個 rp 上，因此 RP 值降低 -- re 值增加 -- q 值減小。

為什麼有很多修理板子是一件令人頭疼的事情，而修理它是最終目標。

兩者的電阻，這是正常的，建築物的主修板應該是靈活的，例如，執行FF的一些板實際上已經點亮了。

首先，我很佩服你執著的精神，我也有點這樣，我總是喜歡找出答案。 我覺得它會受到限制。

唉，電路的問題，我不明白！

並非每個使用晶體的地方都必須新增。

這部分是由於晶體驅動電路，部分是因為晶體或加工工藝的不同型別。

這個阻力不全是1m，有的大有小，更多的是與工況有關。

基本上，它的作用是起到阻抗匹配的作用，使晶體的驅動電路或晶體本身處於更好的工作狀態。

石英晶體具有高品質的品質因數，振盪電路採用恆溫恆壓穩壓後，振盪頻率穩定性可達10（-9）至10（-11）。 廣泛應用於通訊、鐘錶、電腦、......需要高度穩定訊號的場合。

一般來說，這個電阻器不需要新增。 對於晶體振盪器，其工作是否正常需要考慮負載是否匹配以及激勵功率是否在規格範圍內。 因此，需要考慮負載電容的大小，電路提供的勵磁功率不宜過小或過大。

通常，該晶體振盪器的串聯諧振阻抗 （ESR） 約為 80 歐姆。 此外，該電阻對晶體振盪器影響不大。 因此，您需要檢視該電阻器是否與您正在使用的晶元有關。

因為，通過晶元向外看，這個電阻器，包括晶體振盪器，成為它的負載。

這個電阻器的作用是防止晶體振盪器振動過大，消耗過多的功率，所以在它併聯乙個非常大的電阻器上，這樣你就可以用那個紐扣電池工作更長的時間了！

電阻的作用是在電路內部的逆變器上增加乙個反饋迴路，形成乙個放大器，當晶體和其中，反饋迴路的交流當量會根據晶體頻率產生諧振，因為晶體的q值很高，所以電阻在很寬的範圍內變化不會影響輸出頻率。

晶體的q值很高，q值是什麼意思？ 晶體的串聯等效阻抗為 ze = re + jxe， re<< jxe|晶體一般相當於乙個非常高的電感，與電感器相當，而導線的電阻相當於電感器很小。 Q 一般達到 10 -4 的量級。

避免訊號太強而無法破壞晶體。 阻力一般比較大，一般有幾百個租漏。

電阻是用來限制振盪幅度的，根據LZ的晶體振盪器，進去的兩個電容一般在20 30P左右，一般在20 30P左右，主要用於微調頻率和不良波形，並影響幅度，進入的電阻取決於IC規格， 有的用於反饋，有的用於EMI的對策。

但是，將掩蔽轉換為併聯等效阻抗後，RE越小，RP越大，這是乙個現成的公式。 晶體的等效RP非常大。 外部合併的阻力被合併到這個 rp 上，因此 RP 值降低 -- re 值增加 -- q 值減小。

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