多晶矽生產技術，多晶矽生產工藝是怎樣的？

主流採用SIHCL3還原法，即西門子法。 反應式：1、Si+3HCl-SiHCl3+H2（合成三氯矽烷） 2、提純三氯矽烷; 3. 還原：SiHCl3+H2 - Si+3HCl

還有矽烷熱分解法。

洗滌。 為了獲得純正的多晶矽原料，必須對多晶矽原料進行清洗，以去除雜質和油漬。 將多晶矽材料浸泡在氫氟酸和硝酸中，然後用高純水洗滌數次，然後清洗後再進入下一道工序。

b. 烘烤材料。 將清洗後的多晶矽原料放入烘箱中乾燥。

c. 裝袋 乾燥後的多晶矽原料按型別和電阻率分開包裝。

d. 成分。

根據生產需要，在中間合金中加入不同電阻率的多晶矽材料，製備符合要求的原料。

2）多晶鑄錠階段。

a. 準備階段。

減壓脫氣後，開啟爐蓋，清洗爐壁和石墨部件，將清洗乾淨的石英坩堝裝入爐內。

b. 餵養。 將500公斤製備好的多晶矽裝入石英坩堝中，蓋上蓋子。 檢查水幫浦油況，正常後進入下一道工序。

c. 吸塵。

密封爐蓋後，啟動真空幫浦對爐體進行抽真空，然後充滿氬氣。

d. 化學材料。 將坩堝加熱到1420以上，使多晶熔化。

e. 定向凝固。

多晶材料全部熔化後，多晶開始凝固，多晶開始以每分鐘mmmm的速度生長，晶體生長速度受工作台下移速度和冷卻水流量的控制，晶體生長速度接近正常速度，矽錠的長度受裝置和坩堝高度的限制， 當矽錠滿足工藝要求時，凝固結束。停機導致多晶爐下降，大約四個小時後取出多晶錠。

f. 檢查。 檢查多晶錠的電阻率、壽命和氧、碳含量，合格後進入下一道工序。

3）切片。a.多晶矽錠。

清潔在鑄錠生產過程中檢查的矽錠。

b.切正方形。 將矽錠完全固定在切割機上。 固定後，切成方條（6英吋、125mm、125mm; 8英吋，156mm，156mm）。

c.拋光。 在拋光機上拋光切割的方棒。

e.清洗粘合劑。

用超聲波清洗機清洗方棒和拋光方棒後，將其粘在工件板的玻璃板上。

f.片。 將粘有矽棒的工件板壓在切片機（4片）上，將矽片切割成180微公尺厚的矽片。

g.脫膠。 將粘附在玻璃板上的切割矽片與玻璃板在70度的熱水中分離。

h.清洗。 將脫膠後的晶圓插入晶圓盒中，並在超聲波清洗機中清洗。 清洗時，先用普通清水清洗，再用70度的熱水用清洗劑清洗，最後用普通清水清洗。

i.甩乾。 將清潔後的晶圓插入盒子中，並在烘乾機的紡絲站旋轉乾燥。

j.檢查膠片。 紡幹晶圓將進行電視和TTV晶圓和表面的清潔度檢查，並根據等級對晶圓進行分類。

k.包裝。 該工藝方案具有操作簡單、操作方便、產品收率高等特點。

晶體矽的生產工藝主要由高純石英（經高溫焦炭還原）、工業矽（酸洗）、矽粉（加HCl）、SiHCL3（粗蒸餾後）、高純SiHCL3（和H2反應CVD工藝）、高純多晶矽組成。

比較有代表性的矽料上市公司有：天威寶邊。 賽爾股份。 南波 a. 研究矽谷。 航空航天機電。 特變電工。 孫麗諾.

多晶矽可用於半導體行業、電子資訊行業、太陽能光伏電池行業，而多晶矽是這些行業中最重要、最基本的功能材料。 多晶矽是單質矽的一種形式，溶於氫氟酸和硝酸的混合酸，不溶於水、硝酸和鹽酸。

多晶矽的硬度介於鍺和石英之間，常溫下脆，切割時易斷裂，加熱到800以上時延展性好，1300時變形明顯。

多晶矽在常溫下無活性，在高溫下與氧氣、氮氣、硫冰雹發生反應，在高溫熔融狀態下具有較大的化學活性，幾乎可以與任何材料相互作用。

多晶矽在電子工業中廣泛用作製造半導體收音機、錄音機、冰箱、彩色電視機、錄影機、電子計算機等的基礎材料。

1.太陽能電池：多晶矽是製造太陽能電池的主要原料之一，可加工成光伏電池。

2.薄膜電晶體 （TFT）：在液晶顯示器 （LCD） 中，多晶矽用於製造用於螢幕的薄膜電晶體。

3.積體電路：在ULSI晶元製造中，多晶矽可以用作襯底材料，也可以與非旋轉材料分層。

4.MEMS：用於製造微機電系統中的各種機械微結構和器件。

5.碳化矽陶瓷：作為增強相，在射片段的碳化矽基體中加入，以提高陶瓷的力學效能。

6.太陽能熱利用：多晶矽可以轉換太陽光產生高溫，用於太陽能熱能的轉換。

7.光電子學：多晶矽襯底可用於製造太陽能電池和光電二極體等器件。

8.熱敏電阻：用於測量溫度變化並將其轉換為電阻訊號。

9.壓電振動片：與石英玻璃結合製成壓電振動板。