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具有電流放大效應的電晶體的本質是基極的使用。
電流實現了集電極電流的控制。
如上圖所示,我們將從基極B流向發射極E的電流稱為基極電流IB; 從集電極 C 流向發射極 E 的電流稱為集電極電流 IC。 兩個電流都從發射器流出,因此在發射器 E 上使用箭頭來指示電流的方向。 電晶體。
放大效應是:集電極電流由基極電流控制(假設電源能為集電極提供足夠大的電流),基極電流的微小變化會引起集電極電流的較大變化,且這種變化滿足一定的比例關係:集電極電流的變化是基極電流變化的倍數, 也就是說電流變化是放大倍數,所以我們稱之為三極體放大(一般遠大於1,如幾十個、幾百個)。
如果我們在基極和發射極之間新增乙個變化的小訊號,這將導致基極電流IB的變化,並且IB的變化將被放大,從而導致IC的較大變化。 如果集電極電流IC流過電阻R,則電阻上的電壓會根據電壓計算公式u=r*i而變化很大。 我們取出該電阻器上的電壓並得到放大後的電壓訊號。
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電晶體必須有一定的外部條件來放大訊號,即在電晶體的發射結上加乙個正向電壓(通常稱為正向偏置或正向偏置),在集電極結上乙個反向電壓(俗稱反向偏置或反向偏置)。 電晶體的主要應用分為兩個方面。 首先,它在飽和和截止狀態下工作,用作電晶體開關; 二是在放大狀態下工作,用作放大器。
放大面積:IC=??IB和IC基本不隨UCE的變化而變化,發射結正偏,集電極結反轉。
放大狀態。 UB 0,發射結正偏置,集電極結反向偏置,ic= ib。
這並不容易回答。 快樂 (*.)
嘻嘻......
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電晶體的發明是為了放大(電流電壓)。
正確答案:當前。
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電晶體實現電流放大的工藝條件包括以下幾點:
1.正確的材料選擇:電晶體一般由矽或砷化鎵等半導體材料製成,選擇合適的材料可以提高器件的效能。
2.精確的電晶體結構設計:電晶體的結構包括發射極、基極和集電極,需要合理設計這三個區域的尺寸和形狀,以實現電流放大的功能。
3.精密摻雜擴散光纖束工藝:晶體垂直束電晶體的發射極、基極和集電極需要通過摻雜擴散工藝形成,這需要精確控制摻雜粉塵濃度和擴散深度,以保證器件的效能。
4.優化接觸工藝:電晶體的接觸電極需要與半導體材料有良好的接觸,以保證電流的順利傳輸。
5.嚴格的製造過程控制:電晶體的製造過程需要嚴格控制各種工藝引數,包括溫度、時間、氣氛等,以確保器件的一致性和可靠性。
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雙極電晶體具有放大電流的能力,並且條件不包括尖峰()。
a.基地的寬度足夠小。
b.發射結是正偏置的。
c.集電極結反轉。
d.發射結和襪子差分集電極結的結電阻足夠小。
正確答案:發射結和集電極結的結阻足夠小。
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電晶體的電流放大係數為()。
a.在飽和區工作時的電流放大係數。
b.在高望地區工作時電流的放大係數。
c.在截止區工作時的電流放大係數。
d.在擊穿區工作時的電流放大係數。
正確答案:在放大區工作時的電流放大係數。
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在基本放大電路中,通過電晶體的訊號為()。
a.直流成分。
b.通訊元件。
c.交替和直接延遲鍵流具有所有純丹氣成分。
d.同一部分只有乙個交流電和直流電。
正確答案:AC 和 DC 元件。
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總結。 堅持。
堅持。 以上是詳細**。
你實際上可以計算出這種問題。
你掌握了三點:當電晶體處於放大狀態時,ic=圍兜; 如果是截止值,則 ic=ib=0;如果飽和,則會出現icibmax>0,可以判斷為飽和。 >>>More
用萬用表的歐姆檔分別測量發射結和集電極結的反向電阻,如果大則為好,否則為壞; 然後測量發射極和集電極之間的正向穿透電流,越小越好,如果大,電晶體效能較差。