MOSFET如何使用電場來控制它？

5個回答

匿名使用者2024-02-01

MOSFET是一種單極電晶體，它只有乙個p-n結，在零偏置狀態下，它導通，如果在其柵極（g）和源極（s）之間增加反向偏置（稱為柵極偏置），則p-n在反向電場的作用下變厚（稱為耗盡區）當溝道變窄時，漏極電流會變小，而當反向偏置達到一定水平時，耗盡區就會被溝道完全箝位，此時MOSFET進入截止狀態，此時的反向偏置稱為捏斷電壓，用VPO表示，可以表示為VPO=VPS+|vgs|這裡|vgs|是VGS的絕對值;在MOSFET的製造中，如果在加入柵極材料之前，在溝道上加一層很薄的絕緣層，柵極電流會大大降低，其輸入阻抗會大大增加，由於這個絕緣層的存在，MOSFET可以工作在正偏移狀態，我們稱這種MOSFET為絕緣柵極FET，又稱MOS FET，所以MOSFET有兩種型別，一種是絕緣柵FET，可以在反向偏置、零偏置和正向偏置狀態下工作，另一種是結型柵極效應電晶體，只能在反向偏置狀態下工作;絕緣柵極FET分為增強型和耗盡型兩種，我們稱之為正常情況下導通的耗盡型FET，以及正常情況下斷開的增強型FET。增強型MOSFET的特點：當VGS=0時，ID（漏極電流）=0時，只有當VGS增加到一定值時，才開始導通，並且有漏極電流。

而漏極電流開始出現時的柵源電壓vgs就是導通電壓;耗盡型MOSFET的特點是能夠在正或負柵源電壓（正或負偏置）下工作，並且柵極上幾乎沒有柵極電流（非常高的輸入電阻）絕緣柵極 FET 可用於結柵 FET 應用中使用的電路，但絕緣柵增強 FET 應用中使用的電路不能被結柵極 FET 取代。
匿名使用者2024-01-31

耗盡層寬度由電壓控制。達到控制電流的目的。

麻煩了，謝謝！
匿名使用者2024-01-30

MOSFET的工作原理是場效應電晶體。

一般電晶體由兩個極性載流子組成，即多數載流子和少數載流子的反極性，因此稱為雙極電晶體，而FET只是參與導通的大多數載流子。

它與雙極型相反，也稱為單極電晶體。它是一種壓控半導體器件，具有輸入電阻高（108 109）、低雜訊、低功耗、動態範圍大、易於整合、無二次擊穿、安全工作區寬等優點，已成為雙極電晶體和功率電晶體的有力競爭者。

分類

FET有兩種型別：結型和絕緣柵極型。結 FET 因其具有兩個 PN 結而得名，而絕緣柵極 FET （JGFET）的命名是因為柵極與其他電極完全絕緣。

目前，在絕緣柵MOSFET中，應用最廣泛的MOS MOSFET被稱為MOS電晶體（即金屬氧化物半導體MOSFET）; 此外，還有PMOS、NMOS和VMOS功率MOSFET，以及最近推出的MOS MOSFET和VMOS功率模組。
匿名使用者2024-01-29

關於MOSFET的工作原理，網上（包括百科全書）都這樣說：“流過漏極和源極之間溝道的通道ID，柵極和溝道之間的PN結形成的抗偏置索引柵極電壓控制ID”，其實這句話是病態的句子，這是非常尷尬和難以理解的;

下面指出，這句話“病”在**; “使用”和“到”這兩個詞重複出現，“使用”和“到”這兩個詞都用來用物件A來論證物件B的意思，例如，“使用（到）變頻器來控制電機的速度”; 但是“with”的意思就完全不同了，“with”的意思就是用物件A來做物件B，比如“變頻器是用來控制電機轉速的”，如果說“用變頻器來控制電機的轉速”，是不是很難理解？這是對的，因為這是乙個病態的句子;

漏極和源極之間流動的通道的id“與這句話末尾的”id“重複，比如”電機轉速，用（到）變頻器控制電機轉速“，你覺得這句話也是很尷尬和尷尬嗎？正確的說法是“電機轉速，用變頻器控制”或“用變頻器控制電機轉速”;

綜上所述，這句話應該是“流過漏極與源極之間的通道的ID由柵極與溝道之間的PN結形成的反向偏置的柵極電壓控制”或“流經漏極與源極之間通道的通道的ID由柵極與溝道之間的PN結形成的反向柵極電壓控制”，這是對MOSFET工作原理的正確描述。
匿名使用者2024-01-28

1、MOSFET的工作原理用一句話說，即“流經漏極和源極之間溝道的通道的ID，柵極和溝道之間的PN結形成的反向偏置的柵極電壓控制ID”。更準確地說，ID流經的路徑的寬度，即通道的橫截面積，由PN結的反向偏置變化控制，導致耗盡層傳播變化。

2. 場效應電晶體（FET））簡稱FET。主要有兩種型別（結型FET-JFET）和金屬氧化物半導體FET（MOS-FET）。它由大多數載波傳導，也稱為單極電晶體。

它是一種電壓控制的半導體器件。

3.在過渡層中，由於電子和空穴的自由運動，在理想狀態下幾乎具有絕緣特性，通常電流難以流動。然而，此時漏極和源極之間的電場實際上是兩個過渡層接觸漏極和柵極的下部，被漂移電場拉走的高速電子通過躍遷層。 id 的飽和現象是由於漂移電場的強度幾乎恆定而發生的。

4. 該電路在單個引腳中整合了增強型 P 溝道 MOSFET 和增強型 N 溝道 MOSFET。當輸入為低電平時，P溝道MOSFET導通，輸出通過電源的正極導通。當輸入端為高電平時，N溝道MOSFET導通，輸出模式的輸出端接電源接地。

在該電路中，P溝道MOSFET和N溝道MOSFET始終以相反的狀態工作，具有相反的相位輸入和輸出。