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電壓低不高都沒關係,功耗和散熱問題不多,我不明白你低時序的意思,不管是低觸發電壓還是長時間,記憶體只讀取上公升沿和下降沿瞬間的資料, 這應該與時序關係不大,因為工作頻率相同,效能也差不多!希望!
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所有記憶體最好是低電壓和低延遲(相同的頻率),但**要差得多。
選擇“記憶體”,首先選擇“高頻”,然後選擇“定時(延遲)”,然後選擇“電壓”。
**,這取決於你的承受能力。
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G.SKILL)DDR3 1600 4GB (2GB x 2) 台式機記憶體 (F3-12800CL7D-4GBRH) 819 元。
計時 7-7-7-24
工作電壓。 G.SKILL)DDR3 1600 4GB (2GB x 2) 台式機記憶體 (F3-12800CL8D-4GBRM) 739 元。
計時 8-8-8-24
工作電壓。 G.SKILL)DDR3 1600 4GB(2G*2)台式機記憶體(F3-12800CL9D-4GBBNQ)649元。
計時 9-9-9-24
工作電壓。 G.SKILL)DDR3 1600 6G (2G 3) 台式機記憶體 F3-12800CL8T-6GBPI 1039元。
計時 8-8-8-21
工作電壓。 G.QI)DDR3 1600 6G (2G 3) 台式機記憶體 (F3-12800CL9T-6GBBNQ) 售價 989 元。
計時 9-9-9-24
工作電壓。 以上幾個不考慮**,這是不是比較好的效能---
G.SKILL)DDR3 1600 4GB (2GB x 2) 台式機記憶體 (F3-12800CL7D-4GBRH) 819 元。
計時 7-7-7-24
工作電壓。
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我還玩了一段時間 DDR400 的記憶體。
我還比較清楚。
我的 2 雙面 DDR400Kingston 記憶體很正常,不能很好地超頻。
我調諧了 n 個長時間的時序和外部頻率。
我被超越了 500 頻率。
而且執行穩定。
從那以後我一直在使用它。
DDR400 記憶體。
一般標準時間。
是的,3338也有。
7. 如果強行將記憶體時序設定得太低。
有兩種可能性。
1.要麼你不能開啟它。
估計DDR400時代的主機板電腦開機失敗,BIOS可以自動恢復,這種情況並不常見。
此時,您只需要轉到手動跳線重置BIOS設定即可。
2.要麼啟動機器。
估計你調到 2
計算機極不穩定。
您執行軟體。
遊戲。 問題隨時可能出現。
藍屏。 崩潰。
在正常使用中根本沒有穩定性。
這有什麼意義。
提高記憶體效能。
時序應該去頻率。
意義: 增加頻率佔主導地位。
調高時序以匹配頻率的增加以穩定記憶體。
畢竟,記憶體的頻率增加是效能的關鍵。
DDR400 超頻最好設定為 3338
記憶體頻率增加。
即使時機被調高。
還可以獲得效能(您可以開啟各種效能測試軟體試用版)。
對於你的問題。
這就是要說的。
給分。 給分。
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DDR3 低電壓和普通 DDR3 記憶體的區別在於:功耗不同,延遲時間不同,粒子規格不同。 一般來說,普通的 DDR3 記憶體更適合 DDR3 低電壓。
由於引腳和封裝等關鍵特性保持不變,因此只需稍作修改即可使用DDR3低電壓和公共設計的顯示卡,有利於製造商降低成本。
首先,功耗不同。
1、記憶體DDR3低電壓:降低記憶體DDR3低電壓的核心工作電壓,降低其功耗。
2.一般普通DDR3記憶體:為了滿足高頻寬的要求,一般普通DDR3記憶體具有較高的功耗。
二是延遲時間不同。
1.記憶體DDR3低電壓:由於能耗降低,記憶體DDR3低電壓可以達到更高的工作頻率,這在一定程度上彌補了延遲時間長的缺點。
2.普通DDR3記憶體:由於能耗高,普通DDR3記憶體存在延遲時間長的缺點。
第三,顆粒規格不同。
1.記憶體DDR3低電壓:記憶體DDR3低電壓顆粒的規格多為32M x 32bit,單個顆粒容量大,4個顆粒可組成128MB視訊記憶體。
2.一般普通DDR3記憶體:普通DDR3記憶體的粒徑多為16M x 32bit,中高階顯示卡常用的128MB視訊記憶體需要8塊。
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一般來說,DDR3 和 DDR3L 相互相容,可以一起使用,但英特爾新推出的 Haswell 處理器基本只支援 DDR3L 記憶體,很少有支援 DDR3 標準電壓記憶體。 別的也沒關係,但為了顧及個人感受,DDR3還是搭載了DDR3,DDR3L搭配DDR3L更好。
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可以是通用的。
低壓版本需要更低的電壓,消耗更少的功率,產生的熱量更少。
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DDR3的電壓為:
DDR3L的電壓為:
晶元手冊並沒有說它是通用的。
電壓都不一樣,還能通用嗎? 有趣!
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最大的區別是它不相容...... 不可能是普遍的......
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DDR3 和 DDR3L 相互相容,可以一起使用。
不過,英特爾新推出的Haswell處理器基本只支援DDR3L記憶體,支援DDR3標準電壓記憶體的很少。 否則也沒關係。 為了兼顧個人感受,DDR3還是搭載DDR3,DDR3L搭配DDR3L更好。
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DDR4記憶體本身都是電壓,根本沒有低電壓或標準電壓。
不合格電壓和低電壓的記憶體是DDR3,而不是DDR4
DDR4記憶體是新一代的記憶體規格。 2011 年 1 月 4 日,三星電子完成了歷史上第一款 DDR4 記憶體。 DDR4 和 DDR3 之間有三個最大的區別:
16位預取機制(DDR3為8位),理論速度是相同核心頻率下DDR3的2倍; 傳輸規格更可靠,進一步提高資料可靠性; 工作電壓下降,更節能。