如何設定偏置電阻以使電晶體放大器的電壓增益高？

實際上，偏置電阻並不影響電晶體的電壓增益，偏置電阻調節電晶體的工作點。 由於不同電晶體直流放大HFE的離散度比較大，很多情況下需要調整偏置電阻的大小才能達到設定的三極體集電極電壓。

為了增加三極體的電壓增益，可以增加電晶體的集電極電阻。 集電極電阻越大，集電極電阻上的壓降越大，當微基電流變化時，電壓增益可以增加，電壓增益可以增加。

如果電晶體的電壓放大率高，就需要選擇電壓放大率高的電晶體。 此外，設計的放大電路可製成：共發射放大電路和共基放大電路。

新增乙個偏置電阻器，為電晶體提供正確的電流。 偏置電阻與電壓放大沒有直接關係。

應盡量使電晶體工作在輸出特性曲線的中間，以減少失真，提高動態小訊號的放大效能

1.如果是標準的公共採集電路，E的電壓應該控制在VCC和VSS的中間，如VCC=15V，VSS=0V，那麼UE的電壓控制更合適或略有偏置。

2.如果是普通電路，首先確保E極有合適的電壓，如2-3V，然後控制C，使UCE幾乎是VCC和VSS的中間值（或略低）。

以上只是一般經驗，另外，輸入電阻要盡量增加，輸出電阻要盡量減小，必要的頻率補償等措施也要增加。

一般來說，當IB不改變時，RC降低，VO增加，當RC不改變時，IB增加，VO降低。

如果看三極體輸出的特性曲線，就會很清楚，輸出在負載線上移動。

各放大器的計算公式不同，以基本共注入放大器為例，簡單討論一下。

第一步，液體垂直報警根據負載電阻RL根據最大效率原理確定安培伏變換器RC，具體公式RC=RL;

第二步，根據rc、rl和rb計算基極偏置電阻rb，具體公式rb（臨界）=rc+rcrl），其中rc rl=r'l，表示RC和RL的併聯電阻，臨界表示臨界。

例如，知道 =100，RC=RL=1K，可以計算出基極偏置電阻 rbrb（critical）=100 （1k +1k 1k）=150k。

如果已知或測量，則無需調整。

不知道是否符合口味，如果有不同意見請糾正。

每個放大器的設計和計算公式都不同，以基本的共注入放大器為例，我們簡單說一下。

第一步，根據負載電阻RL根據最大效率原理確定安培變換器RC，具體公式RC=RL;

在第二步中，根據 RC、RL 和 計算基數。

抗偏置電阻rb，具體公式rb（critical） = （rc+rc rl），其中rc rl=r'L，表示RC和RL的併聯電阻。

關鍵意味著關鍵。

例如，知道 =100，RC=RL=1K，可以計算出基極偏置電阻 rbrb（critical）=100 （1k +1k 1k）=150k。

如果已知或測量，則無需調整。

不知道是否符合口味，如果有不同意見請糾正。

你認為電晶體的輸入阻抗不夠高嗎？

任何訊號源都可以被認為是具有一定內阻的電壓源。 如果後置放大器件的輸入阻抗不夠高，那麼大部分訊號電壓會落在內阻上，放大器件無法有效獲得輸入。

只要根據高中物理的電路知識來理解：乙個電動勢為6V，內阻為100的電源，外部負載電阻為1，負載電阻能得到多少電壓？

您應該在此放大器電路之前新增乙個第一級發射極跟隨器以實現阻抗匹配，或者使用輸入阻抗較大的場效應電晶體作為放大器，或者您可以使用具有高輸入阻抗的精密運算放大器。

不要以為你電路中的偏置電阻都在兆歐範圍內，三極體貝貝結的低輸入阻抗是罪魁禍首，兆歐偏置電阻是沒用的。

您可以使用幾個大電阻器連線到觸控螢幕輸出，以檢視需要多少電阻才能獲得足夠的輸出範圍。

發射極遵循達林頓結構，以進一步增加輸入阻抗。 3個電晶體可選用9014等高值型號，推薦值不低於300。 應適當選擇兩個偏置電阻R*，以保持電阻左右兩端的壓降，並適當選擇70k電阻兩端的電壓，使其保持在左右。

這個三極體的基極上不能測量電壓波形，因為B-E是非線性特性，基極是由電流控制的，建議你把示波器接在C極（對地），直接觀察輸出情況，你的偏置是可變電阻，可以慢慢調整， 使C極電位在UCC中間被放大，這是輸出空載情況。輸入端應與電阻器（約20K）串聯，以減少對前置放大器的影響。

圖中為共發射放大電路，共集電極放大應為下圖。

調整本電路中的元件R5，調整到最小值後再通電，R5的起始電阻值不能太大，必須從最小值慢慢調整，太大會使放大級的電流過大而燒毀電子管，這個電阻的電阻值越小， 越安全。上電後，將其電阻增加到Q點電壓為16V（VCC 2），並監控BG4和BG5電流不超過6mA，如果電流過大，可以調整R4和R2的電阻值，然後調整R5，反覆調整到BG4和BG5的電流在6mA左右（不一定太準確）， Q點電壓為VCC 2。在調整過程中，當電流較大，Q點電壓過時時，R4電阻值增大。

R2 電阻過低時。 當電流不足時，電阻值在相反的方向上增大或減小。

就這麼簡單。

該放大器的電容除C3和C9（反饋電容）的尺寸外，應遵守該原則，其他尺寸均不出格。 耦合電容容量大有利於低頻傳輸，濾波電容容量大一點也沒關係，即不能太小，可能會產生自激。

這種電路配置的電阻是無法計算的，只能通過電位器串聯調節，然後拆下電位器測量電阻值後再用固定電阻代替。

您可以購買“電晶體電路設計”的第一卷和第二卷，它們是日語撰寫的經典。

要計算電晶體放大電路的偏置電阻，需要準確知道三極體的值，但三極體的值是離散的，因此電阻的大小一般是在實際電路中通過除錯來選擇的。 如果電路的直流電流（或電壓）負反饋比干擾支路強，則可以計算偏置電流電阻的大小。

典型的放大電路可以直接用於多級放大的實際電路中，但需要考慮級間的影響。

你說的偏置電阻不是偏置的。

電阻？ 如果是，我可以計算; 但是，如果還需要提供三極體的放大特性曲線圖、三極體耗散的渣橋電流、電源電壓、電路圖等。

電晶體放大電路的偏置電阻只能粗略計算。 計算的目的是使基極的電位高於發射器的電位。 由於單個電晶體的放大是分散的，因此必須通過除錯確定準確的值，並在除錯時改變失調電阻（具有可調的電伏雹電阻），使IC的值在合適的霍爾洩漏值中。

電源電壓。 vc

我們必須知道，或者假設知道，（設計當然需要乙個設定的工作電壓緩解旅）。 我們可以測量電晶體的值，也可以假設設計值（電晶體基於製造商的資訊）。 當然，我不知道詳細和具體資訊之間的關係，但重要的是電晶體是否是你工作所需的頻率和功率範圍。

因此，構建最常見。

A類。 以單管標尺共組放大電路為例，說明了偏置電路的電阻方法。 一般不採用最簡單的偏置電路，不能保證電路的穩定性，不實用。

基本原則是：

1. 好的。 三極體凳電極的靜態電壓應盡可能為1 2

電源電壓的值。 考慮到與后級電路的耦合，集電極電阻值可能會使該電壓偏離1 2vcc，但一定不能偏離太大，否則交流工作狀態的動態範圍很小。

2. 好的。 電晶體的靜態工作電流ICO。

例如，它可以設定為ICO 5mA（對於低功率電壓放大器，大約10mA基本就足夠了。 當然，它也可以是您要求的某個當前值）。

3. 好的。 三極體

您可以測量電晶體或簡單地設定乙個值，例如 100 以便於計算。

根據上述條件計算如下：

集電極電阻。

vcico5＝。設定 VC 12V 並取 R1 1K。

抗偏置性 r2. 假設。

100，然後是 IBO（靜態基準電流）ICO

100＝50μa。基極偏置電阻 R2 （1 2vC

ibo＝（6－

取 150k。

通過調整電阻，從VBE中減去VB，得到VE，並根據歐姆定律計算IE。

讀書，書寫得更清楚。