SDRAM記憶體和RDRAM記憶體，哪個更好？

DDR有兩個差距，SD有乙個差距 SD有逐漸消除的趨勢 效能：DDR優於SD，**也低於SD 售後服務也優於SD

這取決於您的機器支援什麼，並非每個人都支援 DDR，並且不容易理解。

1.效能差異。

1）與SDRAM相比：DDR採用更先進的同步電路，使指定位址、資料傳輸和輸出等主要步驟可以獨立執行，並與CPU保持完全同步。

2）DDR採用DLL（Delay Locked Loop）技術，記憶體控制器可以在資料處於活動狀態時對其進行精確定位，每16次輸出一次，並重新同步來自不同記憶體模組的資料。

3）DDR基本上不需要增加時鐘頻率來使SDRAM的速度增加一倍，它允許在時鐘脈衝的上公升沿和下降沿上讀出資料，從而使標準SDRAM的速度增加一倍。

2.外部差異。

1）在外形方面，DDR與SDRAM沒有太大區別，它們具有相同的尺寸和引腳距離。標準 DDR 記憶體模組是 184 針線 DIMM（雙面針記憶體模組）。 它很像標準的 168 針 Sdram DIMM，但在 SD 上有乙個缺口而不是兩個缺口。

2）元件的長度也是英吋，主要包含新的控制、時鐘、電源和接地訊號。

3） DDR 記憶體使用支援電壓的 SSTL2 標準，而不是 SDRAM 使用的電壓的 LVTTL 標準。

DDR3 SDRAM 是指 SDRAM 系列的第三代記憶體規範。

DDR3 是 DDR2 SDRAM（四通道資料速率同步動態隨機存取儲存器）的繼任者，提供比 DDR2 SDRAM 更高的執行效能和更低的電壓。

DDR3 使用點對點拓撲架構來減輕位址命令和控制匯流排的負擔。 100nm以下的生產工藝用於降低DDR2的工作電壓，以增加非同步復位（RESET）和ZQ校準功能。

DDR3是指第三代DDR記憶體（DDR是一種記憶體技術），SDRAM是記憶體的型別，一般來說，DDR3代表DDR3 SDRAM。 SDRAM特指同步動態隨機存取儲存器。

靜態隨機存取儲存器。

SRAM） SDRAM：同步動態隨機存取儲存器。

同步是指記憶體需要同步時鐘進行工作，內部命令傳送和資料傳輸都基於此; 動態意味著儲存陣列需要不斷重新整理，以確保資料不會丟失; 隨機意味著資料不是以線性順序儲存的，而是可以在自由指定的位址上讀取和寫入。

DDR=雙倍資料速率。 嚴格來說，DDR 應該稱為 DDR SDRAM

DDR2 DDR II（雙倍資料速率2）SDRAM是由JEDEC（電子裝置工程聯合委員會）制定的下一代記憶體技術標準，它與上一代DDR記憶體技術標準最大的區別在於，雖然它採用了時鐘上公升和下降同時進行資料傳輸的基本方法， DDR2 記憶體的預讀取能力是上一代 DDR 記憶體的兩倍（即 4 位資料讀取預取）。換句話說，DDR2 儲存器能夠以每時鐘外部匯流排 4 倍的速度讀取和寫入資料，並且可以以內部控制匯流排的 4 倍速度執行。

DDR3 是一種計算機記憶體規範。 它是屬於SDRAM系列的儲存器產品，比DDR2 SDRAM提供更高的效能和更低的電壓，是DDR2 SDRAM（四倍資料速率同步動態隨機存取儲存器）的繼任者（增加到8倍），也是當今流行的儲存器產品。

有一本百科全書真是太好了。

金手指的區別在外觀上也可以看出，SDR有兩個缺口，而DDR1只有乙個缺口，DDR2有乙個缺口，但缺口更靠近中間，從密密麻麻的金手指中也可以識別出它們的差異。

你是說看一眼還是 ·效能 ·

表演是樓上的那個

如果是這樣的話。

特別提款權有兩個缺口。

DDR1 有乙個缺口。

DDR2 有乙個缺口，缺口在中間一點點 ·而且金手指更密集··

3. 定址時序

正如 DDR2 從 DDR 轉換後的延遲週期數增加一樣，DDR3 的 CL 週期也會高於 DDR2。 DDR2 的 CL 範圍通常在 2 到 5 之間，而 DDR3 的 CL 範圍在 5 到 11 之間，附加延遲 （AL） 的設計也發生了變化。 在 DDR2 中，AL 的範圍從 0 到 4，而在 DDR3 中，AL 有三個選項，分別是 0、CL-1 和 CL-2。

此外，DDR3 還增加了乙個新的時序引數，即寫入延遲 （CWD），該引數將根據特定的工作頻率來確定。

SDRAM 和 DDR 之間的具體區別如下：

1.傳輸速率存在差異

傳統的SDRAM只能在訊號的上公升沿傳輸資料，而DDR只能在訊號的上公升沿和下降沿傳輸資料，因此DDR儲存器每個時鐘週期可以傳輸兩倍於SDRAM的資料，這也是DDR雙資料速率和雙資料速率的含義。

2.外觀槽位有差異

DDR 在形狀和體積上與 SDRAM 的區別較小，它們具有相似的尺寸和間距，標準 DDR 記憶體模組是 184 針 DIMM（雙面針記憶體模組）。 DDR 與標準的 168 針 SDRAM 非常相似，最大的區別是 DDR 只使用乙個插槽，而 SDRAM 使用兩個插槽。

3.設計有差異

與SDRAM相比，DDR採用了更先進的同步電路，這使得傳送和傳出指定位址和資料的主要步驟不僅獨立，而且與CPU完全同步。

DDR 使用延遲鎖定環路技術，記憶體控制器可以使用該技術來過濾資料，以在資料有效時精確定位資料，每 16 次輸出一次，並重新同步來自不同記憶體模組的資料。