DDR DDR2 DDR3 SDRAM等內存在外觀和本質上有什麼區別?

發布 科技 2024-06-20
12個回答
  1. 匿名使用者2024-01-29

    記憶體模組金手指上的空心位置不同。

  2. 匿名使用者2024-01-28

    區別在於:乙個是插槽的型別,另乙個是記憶體技術。

    SDRAM 和 DIMM 不是同一級別的概念。 SDRAM 是指記憶體效能方面的技術,而 DIMM 是指記憶體的結構外觀或記憶體插槽。 SDRAM 採用 DIMM 的形式。

    RDIM支援兩種工作模式,支援高效能寄存式DIMM工作模式,可達到最高配置的記憶體容量,**更高。

    UDIMM 只能在無緩衝模式下工作,無法達到記憶體的最高配置,效能不如 RDIMM,但相對較低。

    後來的 UDIMM 是更詳細的 DIMM 型別,以及 RDIMM。

    DDR4 記憶體優勢:

    DDR4 提供比 DDR3 DDR2 更低的電源電壓和更高的頻寬,DDR4 傳輸速率現在可以達到 2133 3200 MT 增加了 4 個銀行組資料組的設計,每個銀行組都有獨立的啟動操作、讀寫等操作特性。

    銀行集團的資料集可以被想象成多工處理,也可以解釋為 DDR4 可以在相同的頻率占空比內處理多達 4 個資料交易,這比 DDR3 效率高得多。

    此外,DDR4 還增加了資料匯流排版本、迴圈冗餘校驗 (CRC) 和 CA 奇偶校驗等功能,使 DDR4 記憶體更快、更節能,同時增強訊號完整性,提高資料傳輸和儲存的可靠性。

  3. 匿名使用者2024-01-27

    目前使用的記憶體模組 (DIMM) 主要有三種型別:UDIMM、RDIMM 和 LRDIMM。

    由於 UDIMM 不使用暫存器,因此不需要緩衝,並且在相同頻率下延遲很小。 此外,UDIMM的另乙個優點是價格便宜。 缺點是容量和頻率較低,最大容量為4GB,最大頻率為2133 MTS。

    此外,由於 UDIMM 只能在無緩衝模式下工作,因此它不支援完整的伺服器記憶體(最大容量),這無法最大限度地提高伺服器效能。 在應用場景方面,UDIMM不僅可以用於伺服器領域,還可以廣泛應用於桌面市場。

    RDIMM 支援緩衝模式和高效能註冊模式,比 UDIMM 更穩定,支援最高的伺服器記憶體容量。 此外,RDIMM 支援更高的容量和頻率,容量為 32GB,頻率為 3200 mts。 缺點是由於使用暫存器,延遲更高,能耗增加,此外,它比UDIMM更昂貴。

    因此,RDIM主要用於伺服器市場。

    LRDIMm可以說是RDIMM的替代品,它一方面降低了記憶體匯流排的負載和功耗,另一方面提供了記憶體的最大支援容量,雖然其最大頻率與RDIMM相同,為3200 Mt s,但容量增加到64GB。 此外,與 RDIMM 相比,雙列 LRDIMM 的記憶體功耗僅為其的 50%。 LRDIMM也用於伺服器領域,但它也比RDIM更昂貴。

  4. 匿名使用者2024-01-26

    SDRAM 和 DDR 之間的具體區別如下:

    1.傳輸速率存在差異

    傳統的SDRAM只能傳輸訊號上公升兆瓦沿的資料,而DDR只能傳輸訊號上公升沿和下降沿的資料,因此DDR儲存器每個時鐘週期可以傳輸兩倍於SDRAM的資料,這也是DDR雙資料速率和雙資料速率的含義。

    2.外觀槽位有差異

    DDR 在形狀和體積上與 SDRAM 的區別較小,它們具有相似的尺寸和間距,標準 DDR 記憶體模組是 184 針 DIMM(雙面針記憶體模組)。 DDR 與標準的 168 針 SDRAM 非常相似,最大的區別是 DDR 只使用乙個插槽,而 SDRAM 使用兩個插槽。

    3.設計有差異

    與SDRAM相比,DDR採用了更先進的同步電路,這使得傳送和傳出指定位址和資料的主要步驟不僅獨立,而且與CPU完全同步。

    DDR 使用延遲超前-滯後鎖定週期技術,記憶體控制器可以使用該技術對資料進行過濾,以在資料有效時查明資料,每 16 次輸出一次,並重新同步來自不同記憶體模組的資料。

  5. 匿名使用者2024-01-25

    金手指的區別在外觀上也可以看出,SDR有兩個缺口,而DDR1只有乙個缺口,DDR2有乙個缺口,但缺口更靠近中間,從密密麻麻的金手指中也可以識別出它們的差異。

  6. 匿名使用者2024-01-24

    你是說看一眼還是 ·效能 ·

    表演是樓上的那個

    如果是這樣的話。

    特別提款權有兩個缺口。

    DDR1 有乙個缺口。

    DDR2 有乙個缺口,缺口在中間一點點 ·而且金手指更密集··

  7. 匿名使用者2024-01-23

    3. 定址時序

    正如 DDR2 從 DDR 轉換後的延遲週期數增加一樣,DDR3 的 CL 週期也會高於 DDR2。 DDR2 的 CL 範圍通常在 2 到 5 之間,而 DDR3 的 CL 範圍在 5 到 11 之間,附加延遲 (AL) 的設計也發生了變化。 在 DDR2 中,AL 的範圍從 0 到 4,而在 DDR3 中,AL 有三個選項,分別是 0、CL-1 和 CL-2。

    此外,DDR3 還增加了乙個新的時序引數,即寫入延遲 (CWD),該引數將根據特定的工作頻率來確定。

  8. 匿名使用者2024-01-22

    1、DDR儲存器單面金指標數量為92個(兩側184個),缺口左側52個,產品右側40個; DDR2記憶體有120個單面金手指(240個雙面),左側缺口64個針,劉海右側56個針; DDR3 記憶體也有 120 個單面金手指(240 個雙面),劉海左側有 72 個針腳,劉海右側有 48 個針腳。

    2.DDR記憶體的顆粒是矩形的,DDR2和DDR3記憶體的顆粒是方形的,體積只有DDR記憶體顆粒的三分之一左右。

    3.使用的電壓不同。

    DDR2 的。

    DDR3的。

  9. 匿名使用者2024-01-21

    記憶體下方的缺口是不一樣的。

  10. 匿名使用者2024-01-20

    靜態隨機存取儲存器。

    SRAM) SDRAM:同步動態隨機存取儲存器。

    同步是指記憶體需要同步時鐘進行工作,內部命令傳送和資料傳輸都基於此; 動態意味著儲存陣列需要不斷重新整理,以確保資料不會丟失; 隨機意味著資料不是以線性順序儲存的,而是可以在自由指定的位址上讀取和寫入。

    DDR=雙倍資料速率。 嚴格來說,DDR 應該稱為 DDR SDRAM

    DDR2 DDR II(雙倍資料速率2)SDRAM是由JEDEC(電子裝置工程聯合委員會)制定的下一代記憶體技術標準,它與上一代DDR記憶體技術標準最大的區別在於,雖然它採用了時鐘上公升和下降同時進行資料傳輸的基本方法, DDR2 記憶體的預讀取能力是上一代 DDR 記憶體的兩倍(即 4 位資料讀取預取)。換句話說,DDR2 儲存器能夠以每時鐘外部匯流排 4 倍的速度讀取和寫入資料,並且可以以內部控制匯流排的 4 倍速度執行。

    DDR3 是一種計算機記憶體規範。 它是屬於SDRAM系列的儲存器產品,比DDR2 SDRAM提供更高的效能和更低的電壓,是DDR2 SDRAM(四倍資料速率同步動態隨機存取儲存器)的繼任者(增加到8倍),也是當今流行的儲存器產品。

    有一本百科全書真是太好了。

  11. 匿名使用者2024-01-19

    1、傳輸速率的差異:

    傳統的SDRAM只能在訊號的上公升沿傳輸資料,而DDR可以在訊號的上公升沿和下降沿同時傳輸資料,因此DDR儲存器每個時鐘週期可以完成兩倍於SDRAM的資料傳輸,這也是DDR的意思——雙資料速率,即資料速率的兩倍。

    2.外觀槽的區別:

    在形狀和體積方面,DDR與SDRAM沒有太大區別,它們具有相同的尺寸和引腳距離。 標準 DDR 記憶體模組是 184 針線 DIMM(雙面針記憶體模組)。 DDR 很像標準的 168 針線 SDRAM,最大的區別是 DDR 只使用乙個缺口,而 SDRAM 使用兩個缺口。

    3.設計上的差異:

    與SDRAM相比,DDR採用了更先進的同步電路,因此可以獨立執行指定位址、資料傳輸和輸出的主要步驟,同時保持與CPU的完全同步。

    DDR 使用 DelayLockedLoop 技術,記憶體控制器使用該技術在資料處於活動狀態時精確定位資料,每 16 次輸出一次,並重新同步來自不同記憶體模組的資料。

  12. 匿名使用者2024-01-18

    DDR SDRAM 於 1996 年由三星首次提出,並得到包括 NEC、三菱、富士通、東芝、日立、德州儀器、三星和現代在內的八家公司的同意,並得到了 AMD、VIA 和 SIS 等主要晶元組製造商的支援。 它是SDRAM的公升級版本,因此也被稱為SDRAM II。 最重要的變化是介面資料傳輸,可以在時鐘訊號的上公升沿和下降沿進行處理,因此資料傳輸速率是SDR(Single Data Rate)SDRAM的兩倍。

    至於定址和控制訊號,它們與SDRAM相同,僅在時鐘的上公升沿傳輸。

    與SDRAM模組相比,DDR SDRAM模組採用184引腳,4塊6層印刷電路板,電氣介面由LVTTL改為SSTL2。 在其他元件或封裝中,它與 SDRAM 模組相同。 DDR SDRAM 模組共有 184 個引腳,其中只有乙個缺失,與 SDRAM 模組不相容。

    DDR SDRAM 在命名原則方面也與 SDRAM 不同。 SDRAM 以時鐘頻率命名,例如 PC100 和 PC133。 另一方面,DDR SDRAM 以傳輸的資料量命名,例如以 MB S 為單位的 PC1600 和 PC2100。

    因此,DDR SDRAM 中的 DDR200 實際上與 PC1600 的規格相同,資料傳輸容量為 1600MB S(64 位 100MHz 2 8 1600MB S),DDR266 和 PC2100(64 位 133MHz 2 8 2128MB S)也是如此。

    DDR SDRAM 由訊號延遲時間 (CL; CAS 延遲 CL 是指內部儲存器在接收訊號後讀取訊號之前必須等待的系統時鐘週期數。 一般來說,越短越好,但這取決於記憶體粒子的原始設定值,否則會造成系統不穩定)。根據電子工程設計發展聯合協會 (JEDEC) 的定義(規範編號為 JESD79):

    CAS 延遲有兩種型別,2ns 和十億分之一秒。 較快的 CL= 2 加 PC 2100 DDR SDRAM 稱為 DDR 266A,而較慢的 CL= 加 PC 2100 DDR SDRAM 稱為 DDR 266B。 此外,速度較慢的 PC1600 DDR SDRAM 在這方面沒有特別編號。

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