對於相同的電流MOSFET或電晶體功耗，哪個更大

對於處於工作放大狀態的兩者，當電源電壓相同時，功耗基本沒有區別，電路連線形式相似---如雙極三極體的共發射極和場效應電晶體的共源極，負載相同---集電極電阻和漏極電阻相同。

當然，雙極電晶體會稍微大一些，畢竟是電流控制器件，基極電流的存在會增加一些功耗。 另一方面，FET 是電壓控制的，柵極不需要輸入功率（用於直流和低頻）。

對於在開關狀態下工作的兩人來說，當電流不太大時，MOSFET的功耗往往會更低，畢竟MOSFET開關速度更快，飽和損耗也更小。 但是，對於大電流（例如，超過100 A）的應用，雙極三極體的功耗可能更小，因為在電流非常高的情況下，雙極三極體的飽和壓降非常小（通常低於），MOSFET不會占上風，飽和電壓會更大。

你可以自己算一下：當兩者都在開關狀態下工作時，IRFP460的飽和功耗為，13007的飽和功耗為參考資料，13007飽和壓降的典型值為IC=5A時。

這就是為什麼IGBT型復合開關器件比MOSFET更適合高背電壓、大電流應用的原因。

電流MOSFET，但容易損壞，應謹慎使用。

在交流電路中，二極體通常用於整流電源。 當二極體導通時，它具有較低的正向壓降，因此具有非常低的電阻，而在反向電壓下，二極體基本上是不導電的。 因此，在交流電路中，通常使用二極體將交流訊號變為直流訊號，即將正半週期訊號變為全正電流或電壓，並切斷反向半週期訊號的電流或電壓。

二極體的功耗通常由兩部分組成：正嚮導通損耗和反向截止損耗。 主要的正導通損耗**是二極體的正向壓降，這取決於電流和二極體的特性。

一般來說，在正向電流相對較小的情況下，二極體的正向電壓較低，正嚮導通損耗相對較小。 當正向電流增加時，二極體的正向電壓也會增加，導致正嚮導通損耗增加。 因此，在實際應用中，需要根據具體的電路需求選擇合適的二極體，以確保滿足所需的功率，並可以保留所需的電流範圍。

反向截止損耗是指二極體反向電壓脈衝時發生的功率耗散。 （在反向電壓下，二極體在截止狀態下工作，反向電流非常小。 但是，當反向電壓突然增加時，二極體會迅速擊穿，導致大量反向電流流過，從而產生反向截止損耗。

反向截止損耗的大小主要取決於垂直二極體的額定反向電壓和施加到二極體上的電壓脈衝的大小。 因此，在選擇二極體時，需要根據電路的實際工作條件和最大負載電壓來確定二極體的額定反向電壓和重複電壓的抗擊穿特性。

需要注意的是，二極體的功耗隨其負載電流和電路的工作狀態而變化。 因此，在設計電路時，需要進行合理的功率分配，選擇合適的尺寸和額定二極體，以最大限度地保證電路的安全可靠和良好的工作效能。