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對於50kHz或更高的頻率,建議使用MOSFET。
開關的平均電流計算為350W,效率為90%:350W 12V 90%=
如果使用推挽方式,可以選擇市場上比較多的IRFP150N(歐姆),如果使用單管開關工作模式,可以選擇IRFP4710(歐姆)。
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如果用三極體,那麼滿足你要求的單個電晶體就不行了,需要併聯多個電晶體,如果用場效應電晶體,那麼就有很多了,比如IRF3205,70N06、60N06,這些管子就可以了!
如果使用三極體,則只能使用2N3055,15A大電流,至少可以同時使用4個或更多!
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你使用鐵盒 2N3055,一側 8 個,兩側 16 個,每側使用 8 個中的乙個作為推力(連線到雙工)! 可以做到500w!! ,我做過這樣的反轉,好吧,但是兄弟,我想提醒你買假貨要小心(現在都是高科技假貨,暴力! 如果是假的,可能達不到,只能達到350w左右,所以也可以滿足你,希望你能成功。
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您可以使用2SC1136、200V30A200W也可用於 3dk210、bux22、2n6250、2n6323兩者都是 200 瓦。
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您說的是逆變器源的輸出功率還是電晶體的功率。
如果是逆變電源,電源可以KSC5027,C5027,BUT11A,2SC3866,2SC3559,2SC3979
如果電晶體是大功率35f50d
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普通電視功率管是可以接受的,如3DD15D、DU33、2SC1875、2SC4706等。
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3DD系列基本沒問題。
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主要區別如下:
1.原理不同:
原則上,雙極半導體三極體是輸入電流控制輸出電流,或者場效應半導體三極體的輸入電壓控制輸出電流,實現訊號放大的特性。 原則上,功率管只是充當雙網路,然後輸出電壓。
2.函式的用途不同:
功率的用途是通過電晶體的放大和電流放大原理,將電源的能量轉換為所需的能量形式(模擬、數字等)。 三極體的用途是通過兩個電極發揮其作用。
3.參與範圍不同:
半導體三極體又稱晶體三極體,可以說是電子電路中最重要的器件。 其主要功能是電流放大和開關。 而功率管是電晶體分類中的一種分類,涉及的範圍很小,就像三極體的乙個分支一樣。
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常用的中高功率電晶體型號和引數如下:
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中等功率電晶體包括 C2482、TIP42、41、C2073、C3807、A1668、D1499
大功率電晶體有C1710、C1651、C5296、C5297、
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市面上有可以買到的國產3dd15,也有其他系列的2sc...
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它們有很多,有數百個,這取決於你使用它們。
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有很多模型,它們是做什麼用的? 你多久工作一次? 輸出功率是多少瓦?
電源電壓是多少V? A、B、C是哪種型別的工作狀態? 您需要的功率增益是多少?
什麼是輸出阻抗? 你必須有上面的引數才能給你正確的模型和pdf,否則隨意給你乙個是沒有用的。
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根據應用要求,可以選擇以下不同型別的功率二極體。
1)肖特基二極體。與常用的PN結整流二極體不同,它是一種單極二極體,因此不受充電過程和反向恢復時間trr(通常略為幾十納秒)的影響。 在器件結構方面,適用於輸出電壓較低、正向管壓降(典型值)較低的換流電路,可降低正向管壓降並增加反向漏電流。
這種二極體的反向阻斷電壓電平在 50 到 100V 之間。
2)快速恢復二極體。它用於與可控開關一起工作的高頻電路。 這些電路需要非常小的反向恢復時間,例如,在數百伏和數百安培下,trr不到幾微秒。
3)工頻二極體。導通狀態正向壓降低,反向恢復時間長,在工頻電路中是可以接受的,適用於反向阻斷電壓為數千伏,工作電流為數千安培的大容量轉換器。 從理論上講,這種二極體的串並聯可以滿足任意電壓和電流值的要求。
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功率二極體是電力電子電路中最基本的元件,其單向電導率可用於電路的整流、箝位和續流。 外圍電路中的二極體主要起到抗反應的作用,防止期間電流回填造成的損壞。
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將交流電轉換為直流電的半導體器件。 二極體最重要的特性是它們的單向電導率。 在電路中,電流只能從二極體的正極流入,從負極流出。 通常它包含乙個帶有兩個端子的 PN 結,乙個是正極,乙個是負極。
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功率二極體屬於電路設計。
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功率管的作用主要是實現高功率輸出。 功率管必須包括電晶體或MOS電晶體,一些功率電晶體(如達林頓陣列ULN2001、ULN2002、ULN2003、ULN2004、ULN2803等)也包括二極體和電阻,如下圖所示
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功率管也是功率放大器管,它處於放大器電路的最後階段,也就是說,功率管包含乙個或多個電晶體,用於功率放大,可能含有二極體。
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功率管當然是指大功率管,包括電子管、二極體、電晶體、閘流體和FET。 主要條件是大功率,功率管通常是指三極體和場效應電晶體。
使用時不一定處於放大狀態,例如開關電源的開關三極體或FET工作在開關狀態,也是功率管。 電視機的線路輸出管也在開關狀態下工作,而功率放大器的輸出管在放大狀態下工作。 以上是功率管使用較多的地方。
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IGBT屬於三極體,也是絕緣柵雙極電晶體。 它是由BJT(雙極電晶體)和MOS(絕緣柵場效應電晶體)組成的復合全控制電壓驅動功率半導體器件。
它結合了MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降等優點——低飽和電壓、高載流密度、低驅動功率和快速開關速度。
適用於直流電壓600V及以上的變流系統,如交流電機、逆變器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
3DD15 A F有5種型號,每種型號的引數基本相同,主要區別在於耐壓不同,C型的Buceo標稱型為200V。 能否更換取決於實際工作電壓。 一般來說,工作電壓的峰值不應高於耐壓值的2 3,最好在1 2以下。