電路基礎知識，填空 20、電路基礎知識，填空

1.一塊半導體採用不同的（摻雜工藝擴散工藝），使一側成為（p型）半導體，另一側成為（n型）半導體，並在它們的介面處形成pn結。 PN結具有（單向電導率），是半導體器件的基礎。

2.為了在不失真的情況下放大電路，必須建立（負反饋）。

3、直接耦合放大電路中抑制零漂移最有效的電路結構是（差分放大電路），它可以由兩個左右對稱結構的對稱（共注入）放大器組成。

4.在p型半導體中，（空穴）是多數載流子，（電子）是少數載流子。

5、共集電極放大器的輸入電阻（高）和輸出電阻（低）常用於多級放大器的輸入級和輸出級。

6 電晶體的輸出特性分為三個區域：（截止區）、放大區和飽和區）。

7 單極電晶體，又稱MOSFET，是一種（電壓）控制器件。 分為（n型）和（p型）。

8 在放大器中，IB表示（（VCC-VBE）RB），IB表示（ ）IE表示（IB）和（IC）的總和。

9 放大器級之間的耦合方式有：（電阻-電容耦合）、（變壓器耦合）（直接耦合）和（ ）。

10.放大器非線性失真分為：（互調失真）和（互調失真）。

11 放大器的放大能力通常用放大倍數A表示，一般有三種型別：（AUC）、AUD）和（ ）。

1.雜質：p型n型單向電導率。

4.空穴，電子。

6.放大區、截止區、飽和區。

對不起，我忘記了其他問題。

1.雜質：P型、N型、單電導率、2.直流偏置、3.差分放大器。

vab應該是原來的倍數，詳細過程請看圖。 運用疊加原理的思想，分別引入三個未知係數a、b、c後，可以將問題簡化為乙個數學問題，如下圖所示，通過簡單的排列就可以得到答案。

1 假，2 真，3 假，4 真，5 真，6 假，7 真，8 假，9 假，10 假，11 真，12 真，13 假，14 真，15 真。

1.初始值、穩態值、時間常數。

學位 6振幅、頻率、初始相位。

7.電容器、電感器。

畢業已經很久了，我記得串聯電路的電壓應該加一下，應該是60+80140。