PN結是如何形成的，PN結是如何形成的

半導體晶體的一面摻雜成p型半導體，另一面摻雜成n型半導體，兩者之間的接觸面稱為pn結。 PN結是電子技術中許多元件（如半導體二極體和雙極電晶體）的物質基礎。

通過一些特殊的工藝（見本條目後面的段落），上述p型半導體和n型半導體可以緊密結合。 PN結在兩者相交處形成。

P型和n型半導體分別含有高濃度的空穴和自由電子，並且存在濃度梯度，因此它們之間會發生擴散運動。 即：

1）自由電子從n型半導體擴散到p型半導體。

2）空穴從p型半導體擴散到n型半導體。

經過載流子擴散過程後，擴散的自由電子和空穴相互結合，使原n型半導體的自由電子濃度降低，原p型半導體的空穴濃度也降低。 從n型半導體到p型半導體，在兩個半導體的中間形成電場，稱為“內部電場”。

這本書太難理解了，所以我讓我說一些膚淺的東西。

事實上，PN結是多電子和缺電子半導體材料之間的介面，但多餘的電子沒有足夠的能量擺脫約束來重新組合缺電子側，但它們有相互移動的趨勢，相互吸引，形成“男左女右， 誰也不敢先上去“，中間的邊界叫PN交界處。

但是當條件發生變化時，情況就不同了，如果有人推他們，並且符合他們的心理，他們就會衝回去，他們會打電話。

其工作原理如下：

p-n結由緊密接觸的n型摻雜區和p型摻雜區組成，其接觸介面稱為冶金結介面。

在乙個完整的矽片上，採用不同的摻雜工藝，一面形成n型半導體，另一面形成p型半導體，我們稱兩個半導體介面附近的區域為p-n結。

p型半導體和n型半導體結合後，由於n型區域的自由電子多，空穴幾乎為零，所以稱為少子，p型區域空穴多，自由電子少，電子與空穴在結處存在濃度差。

從PN結的形成原理可以看出，PN結要想導電形成電流，就必須消除空間電荷區內電場的電阻。 顯然，在相反的方向上增加乙個較大的電場，即P區接外接電源的正極，N區接負極，可以抵消其內部自建電場，使載流的圓形前搭檔可以繼續移動， 從而形成線性正向電流。

施加的反向電壓相當於內建電場的更大電阻，p-n結無法導通，只有非常微弱的反向電流（由少數載流子的漂移運動形成，由於少數載流子數量有限，電流飽和）。

當反向電壓增加到一定值時，由於幾噸的數量和能量的增加，會碰撞並破壞內部共價鍵，從而釋放出原來束縛的電子和自由基空穴，電流會繼續增加，最後PN結會被擊穿（成為導體）並損壞， 並且反向電流會急劇增加。

這是PN結（單嚮導通、反向飽和漏電或擊穿導體）的特性，也是電晶體和積體電路最基本、最重要的物理原理，對於基於電晶體的所有複雜電路的分析都是必不可少的。

由電子和空穴的擴散和漂移形成。

1.在矽片上，不同的摻雜工藝會形成兩種不同的半導體，分別稱為n型半導體和p型半導體，這兩種半導體在進入脊並接觸時會在介面附近的區域形成p-n結。

2.擴散：當n型半導體和p型半導體結合時，由於介面處載流子濃度的差異，電子會從高濃度的地方擴散到低濃度的地方，從而破壞原有的電中性條件，形成一層薄薄的空間電荷區。

3.漂移：空間電荷區形成後，鎮巖與正負電荷相互作用，在空間電荷區形成內部電場，在接觸面的n型區留下正電荷，在p型區留下負電荷，兩者剛好形成乙個自建電場， 並且自建電場使載流子漂移，漂移方向與上述擴散方向相反，最終擴散和漂移趨於穩定，形成p-n結。