FET可以做公升壓電路嗎，你能自己做嗎？

是的，必須使用倍壓電路和**電路（交流電只有在產生交流電時才能公升壓）。

場效應電晶體（FET））縮寫為場效應電晶體。主要有兩種型別（結型FET-JFET）和金屬氧化物半導體FET（MOS-FET）。 它由大多數載波傳導，也稱為單極電晶體。

它是一種電壓控制的半導體器件。 具有輸入電阻高（107 1015）、低雜訊、低功耗、動態範圍大、易於整合、無二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點，已成為雙極電晶體和功率電晶體的有力競爭者。

場效應電晶體（FET）是利用控制輸入環路的電場效應來控制輸出環路電流的半導體器件，並以此命名。 因為它僅通過半導體中的大多數載流子導電，所以它也被稱為單極電晶體。

是的，只要你學過模擬電路技術; 請不要一直問怎麼做，因為如果你一直問，它會一直持續下去！

當然，如果您熟悉開關電源，則此實現非常簡單。

總結。 MOSFET基本上通過電場效應來控制電流的大小。

MOSFET基本上通過電場效應來控制電流的大小。

MOSFET具有三極體所不具備的許多優點，這擴大了其在大規模積體電路中的應用範圍。 例如，它具有功耗低、體積小、輸入阻抗高、雜訊低、熱穩定性好、製造簡單等諸多優點。 鑑於上述優點，許多場效應電晶體被用於大規模積體電路。

這很簡單，但是使用MOS管的人比使用電晶體的人少得多。

MOS管是一種電壓控制裝置，即需要電壓控制G引腳來控制管子的電流。

一般來說，市面上最常見的是增強型N通訊MOS管，可以用乙個電壓來控制G的電壓，MOS管的導通電壓一般是2-4V，但要完全控制，這個值應該上公升到10V左右。 向您推薦一種方法。

基本方法：使用控制電壓（比較器同相輸入）和基準電壓（比較器反相輸入），同時進入電壓比較器（比較器電源接12V並接地，如LM358作為比較器），電阻上拉後，比較器的輸出端連線到G引腳， 如果控制電壓高於基準電壓，則控制MOS管的輸出電流。

基準電壓可以來自取樣電阻，即NMOS的S極接乙個大功率小尺寸的電阻，然後接地，這個電阻用於電流取樣，當電流流過電阻時，就會形成乙個電壓，並被放大作為參考。

剛開始的時候，電流很小，所以控制電壓比基準電壓高很多，這時G引腳基本加了12V，可以讓管子快速導通，過不了多久，當電流增加並逐漸達到一定值時，基準電壓迅速上公升， 當控制電壓接近並超過時，比較器將輸出低電平（接近0V）切斷電子管，電流減小。然後當電流減小時，基準電壓再次下降，管子再次導通，電流再次增加。 然後迴圈重複。

如果用DA輸出代替控制電壓，可以得到MOS管的精確控制，我們之前已經實現了10-2000mA的輸出範圍，步進1mA，輸出電流精度正負1mA。

要降低 FET 的電壓，只能使用 FET 的可變電阻區間。 該動作相當於乙個電阻器。

而且它通常不是這樣使用的。

什麼電壓降？ 什麼場合？

以上開始開啟。 但我的實際應用是將其新增到 12v。

這個電壓管不同，電壓也不同。 有些 v，有些需要 v。

巨集觀是的。

但是，柵極是有電容的，實際使用時仍需考慮驅動電流。 當頻率很高時尤其如此。

電晶體和MOSFET工作原理的3D動畫，直觀地了解它們的電流方向。

打結的 n 溝道排氣形狀場管就足夠了。