詢問有關 51 微控制器的問題

一般來說，我們用 1 作為高水平，用 0 作為低水平，因為這符合我們日常的理解。 但是晶元的高低電平有時不是這樣，微控制器用1作為高電平（此時也是高電壓），0作為低電平（低電壓）。

但並非所有邏輯電平都是這樣的（1 為高電平，0 為低電平）。 例如，RS-232C 標準中規定的邏輯電平與 TTL 數位電路（例如微控制器）的邏輯電平不相容（不一定相反，但電壓電平不同）。 因此，在設計電路時，最好仔細研究晶元的引數。

高電平可以理解為高電壓，低電平可以理解為低電壓，但是各種晶元的高低電壓是不同的。 如果晶元高於高電平，則為高電平，有的高於高壓。

我想知道它對你有幫助嗎？

通常，1 表示高水平，0 表示低水平。 1 表示已接收到訊號。

高電平的電壓其實不高，一般規定乙個範圍，比如2-5V，超過2V就是高電平，可以產生訊號。 這就是為什麼微控制器要指定連線電纜的長度，將來會不會損失訊號強度，它可能會發出4V的訊號，發射2m後，發現減弱了幾V，那麼就無法接收。

那麼低於2V就是低，因為埠本身也有乙個電壓，這個電壓很弱，檢測一般是十分之幾。

我已經很久沒有使用微控制器了，我不太確定，希望能幫到你。

1 和 0 是人為規定的，通常在 51 個 MCU 中，1 表示高電平，0 表示低電平。 根據TTL柵極電壓比較高電平和低電平。 數字電子設計具有相關的電壓比較資訊。

普遍的理解是，高電平是電源電壓，低電平被認為是地電壓，即0。

因為數位電路只能區分高電平和低電平，例如，如果是5V系統（電路），一般認為以下為低電平，以上為高電平（不能超過5V的電源電壓，詳情請檢視晶元說明書）;

如果是3V或12V系統（電路），高電平和低電平的資料不同; 因此，高低電平只是乙個相對值，高低電平的資料基本都是在晶元電源設定好後才設定的。

代表十六進製的兩者補碼的範圍是多少？ 是 -80h 7fh 嗎？

是。 2.“8051微控制器的外部擴充套件EEPROM程式儲存器可以作為資料儲存器進行正確連線，8051微控制器的外部擴充套件資料儲存器也可以作為程式儲存器進行程式除錯”。

前一句明白了，為什麼後一句是對的？ 如果沒有連線到外部資料儲存器，我應該如何處理像 MOVC 這樣的表查詢命令？ 資料儲存和程式記憶體的指令不是不同嗎？

而當我們編寫 keilc 程式時，指令存在於微控制器中**？ 是在外部還是內部程式儲存器中？ （是否有可能存在外部資料儲存器？

這些詞是否正確取決於硬體電路。

如果將PSEN和RD組合在一起，還可以將外部擴充套件資料儲存器用作程式儲存器。

上一句：外部擴充套件EEPROM程式儲存器進行適當的連線可以用作資料儲存器，這裡提到的，需要適當的連線。

換句話說，如果電路發生變化，任何事情都可能發生。

不要再問問題了。

3. “可用於暫存器定址的暫存器有：RN、RI、DPTR、A、B、CY"，dptr 對頭髮也沒問題，mov a，dptr 有命令嗎？ 徐漢斌的MCU教材MOVX A，@dptr中只有4條與DPTR相關的指令; movx @dptr,a;mov dptr,#addr16;movc a,@dptr+a

當你為考試而學習時，你必須選擇一本教科書，不同的作者有不同的解釋。

4.“MSC 51微控制器定時計數器對外部脈衝進行計數時，要求輸入計數脈衝的高電平或低電平持續時間不小於乙個機器週期”，這句話是錯的，我真的看不出來。 有什麼問題嗎？

5.用補碼運算減去兩個數時，cy是否等於0表示第乙個數小於第二個數，cy等於1表示第乙個數大於第二個數。

微控制器的計算是根據無符號數cy進行的，可以反映無符號數的大小。

想象補語不是那麼簡單，有正補和負補。

6. SCM中如何區分BCD程式碼和十六進製數？ 例如，在計算BCD碼的補碼時，其模組9AH與十六進製系統相同，微控制器如何區分這是BCD碼的100？

MCU對此不作區分，需要程式設計師編寫程式來解決BCD程式碼的問題。

Pull-up resistance，引體向上是乙個動詞（引用乙個英語概念）。 這意味著電阻的一端連線到引腳，另一端連線到電源端。 另一種說法是下拉電阻，另一端接地。

排電阻是指將一排幾個電阻器製成乙個元件，電阻值一般相同。 目標是減小尺寸。 主要分為兩類：

一種是多個電阻的一端都在一起，它們有乙個共同的一端。 有很多種（4 位、5 位、8 位......常用的 9 引腳（8 位）：例如，如果您使用 P0 埠，您將使用 8 個電阻器。

它們中的每乙個都連線到一端的 io 埠。 另一端是公共端，直接連線到電源端，這意味著上拉和排電阻，使用方便。 接地，即下拉阻塞的意思。

另一方面，一排電阻器在兩端獨立引出。 更小的尺寸。 您可以在計算機的主機板上看到它。

AT89S52 的 P0 埠是正常 IO 埠時的 OD 開漏輸出。 電阻器必須向上拉。 當連線外部匯流排裝置並使用 MOVX 或 MOVC 命令時，無需將其拉起。 這是由內部結構決定的。

需要增加乙個電阻器，因為P0埠與P1、P2和P3不同，如果不新增，作為IO埠非常不穩定，例如，在讀取高電平和低電平時會出錯。 電阻是幾個電阻器在一起，您在 P0 埠看到的電阻相當於 8 個幾科姆的電阻器。 如果您有任何問題，可以新增更多。

有很多問題，你對IIC的時機掌握不夠。 不用仔細看，我就談談幾個簡單的問題，希望對你有幫助。

1. 更改 SDA 前 SCL 必須為 0，否則容易出現 STOP 或 START 狀態，因此最好以 SCL=0 結束每個功能，並且在更改 SDA 之前，需要確保 SCL 為 0，即使是 STOP 和 START，首先確定 SDA，然後設定 SCL=1，然後執行 STOP 或 START 的 SDA 更改。 例如，如果你執行寫匯流排，如果最後是 sda=0 和 scl=1，然後你執行讀匯流排，你自己看 **，函式實際上執行了 stop 命令。

2.SDA在有源輸出結束後應強制設定1,51，其特點是將0寫入io後無法讀取外部輸入的實值。 如果您執行 ACK，當您連續讀取它時，以下內容將為 0。

3.SCL的變化和SDA的輸出和讀數之間有足夠的時間差，我不知道你的時鐘是什麼？ 建議新增延遲。 延遲最好用函式加，使用巨集太浪費了。

4.操作的優先順序，印象為“比|”。低，我寫了**一般強制加（），以後檢查時不必記住哪個級別更高。

最後乙個有乙個額外的{，這是乙個錯誤嗎？