NAND和NOLOR快閃記憶體的區別

Flash是一種儲存晶元，全稱是FlasheeProm

儲存器可以通過程式修改資料，通常被稱為“快閃記憶體”。 快閃記憶體進一步分為NAND

flash 和 nor

閃光燈有兩種型別。 這種儲存器用於 USB 快閃記憶體驅動器和 ***。

NAND快閃記憶體技術相對於NOR技術的優勢在於，在大多數情況下，快閃記憶體僅用於儲存少量的**，那麼NOR快閃記憶體更合適。 NAND是高資料儲存密度的理想解決方案。 nor

Flash 讀取和我們常見的讀取。

SDRAM 的讀取是相同的，使用者可以直接執行負載。

norflash

裡面**，這樣就可以減少。

因此，SRAM的容量節省了成本。

nandflash

沒有占用記憶體的隨機讀取技術，其讀取是以一次讀取一段的形式進行的，通常是一次讀取。

位元組，使用此技術。

閃光燈更便宜。 使用者。

它不能直接執行。

nandflash

在**上，所以它被大量使用。

nandflash

除了使用開發板。

nandflah

此外，它還被製造出來。

一小塊。 nor

快閃記憶體以執行啟動**。

Norflash start：Norflash是Intel推出的一款匯流排型快閃記憶體，從燒錄引導載入程式時的位址0x00000000開始燒錄，當系統復位時，由於是匯流排的形式，所以可以直接啟動引導載入程式，然後啟動核心、檔案系統，但是直接在Norflash上執行，速度和大小都受到了限制， 因此，它通常用於啟動RAM和儲存Norflash。Nandflash 啟動：

與Norflash不同，NandFlash使用非匯流排介面，該介面無法通過匯流排定址，並且不支援片上執行，因此需要一步中繼並讀入SDRAM才能執行。 在S3C2440中，乙個4K靜態RAM，即SRAM，在啟動階段將Nandflash的第乙個4K複製到SRAM，程式從SRAM的起始位址啟動bootloader程式。 在 bank0-bank5 的 norflash 中，它是 flash 的對映位址，位址是從 0x00000000 對映的; 對於 NandFlash，Bank0-Bank5 是 srom 的空間，而 Nandflash 是非匯流排形式，所以不能直接對映，只能通過複製操作複製到 Bank6 上的 SDRAM。

1.差異。

1.介面差異。

NOR 快閃記憶體具有乙個 SRAM 介面，具有足夠的位址引腳來定址它，因此可以輕鬆訪問其中的每個位元組。

NAND快閃記憶體使用複雜的I-O埠序列訪問資料，方法可能因產品或供應商而異。 8 個引腳用於傳輸控制、位址和資料資訊。

2.容量和成本不同。

NAND快閃記憶體的單元尺寸幾乎是NOR器件的一半，並且由於生產工藝更簡單，NAND結構可以在給定的模具尺寸內提供更高的容量，從而相應降低**。

NOR Flash佔據了1 16MB快閃記憶體市場的大部分，而NAND Flash僅用於8 128MB產品，這也說明NOR主要用於**儲存介質，NAND適用於資料儲存，NAND在CompactFlash、Secure Digital、PC卡和MMC儲存卡市場占有最大份額。

3.壽命（耐久性）不同。

在NAND Flash中，每個模組可以擦除的最大次數為1,000,000次，而NOR Flash可以擦除的次數為100,000次。 除了 10 比 1 的塊擦除週期優勢外，NAND 快閃記憶體的尺寸比 OR 快閃記憶體裝置小 8 倍，並且每個 NAND 快閃記憶體塊在給定的時間內刪除的時間要少一點。

二是原理。 快閃記憶體是非易失性儲存器，可以擦除並重新程式設計為稱為塊的儲存單元塊。 對任何快閃記憶體裝置的寫入只能在空或擦除的單元中執行，因此在大多數情況下，必須先執行擦除，然後才能執行寫入操作。 雖然 NAND 裝置可以輕鬆執行擦除操作，但 NOR 要求在擦除之前將目標塊中的所有位寫入 0。

3. 用法。 通常，NOR 快閃記憶體用作儲存器或資料緩衝器。 另一方面，NAND 快閃記憶體通常用於儲存資料。 比方說，乙個 USB 快閃記憶體驅動器。 等。

1.儲存架構不同。

NOR 快閃記憶體架構提供了足夠的位址線來對映整個儲存器範圍。 這提供了隨機訪問和短讀取時間的優勢，使其成為執行的理想選擇。 另乙個優點是 100 個已知零件壽命。

缺點包括較高的每位元成本以及由於單元尺寸較大而導致的寫入和擦除速度較慢。

與 NOR 快閃記憶體相比，NAND 快閃記憶體具有更小的單元尺寸和更高的寫入和擦除速度。 缺點包括讀取速度較慢和 IO 對映型別或間接介面，這些介面更複雜且不允許隨機訪問。 值得注意的是，NAND快閃記憶體中的執行是通過將內容對映到RAM來實現的，這與直接從NOR快閃記憶體執行不同。

2.儲存容量不同。

與NOR快閃記憶體相比，NAND快閃記憶體的密度要高得多，主要是因為其每位元成本較低。 NAND快閃記憶體的容量通常從1GB到16GB不等。 NOR 快閃記憶體的密度範圍為 64MB 至 2GB。

由於其較高的密度，NAND快閃記憶體主要用於資料儲存應用。

3.擦除，讀取和寫入不同。

NAND快閃記憶體中的擦除操作非常簡單，而在NOR快閃記憶體中，每個位元組在擦除前都需要寫為“0”。 這使得NOR快閃記憶體的擦除操作比NAND快閃記憶體慢得多。 例如，NAND快閃記憶體S34ML04G2需要擦除乙個128KB的塊，而NOR快閃記憶體S70GL02GT大約需要520ms才能擦除乙個類似的128KB扇區。

4、能耗不同。

在初始上電期間，NOR快閃記憶體通常比NAND快閃記憶體需要更多的電流。 但是，NOR Flash的待機電流遠低於NAND Flash。 兩次閃光的瞬時有功功率相當。

因此，有效功率由記憶活動的持續時間決定。

NOR 快閃記憶體在隨機讀取方面具有優勢，而 NAND 快閃記憶體在擦除、寫入和順序讀取操作中消耗的功耗相對較低。

成本比較高，容量也比較小，比如常見的只有128kb、256kb、1mb、2mb等，優點是讀寫資料不容易出錯。 因此，在應用領域方面，NOR Flash更適合儲存少量的**。 快閃記憶體的成本比較低，說白了就是便宜，缺點是使用中讀寫資料容易出錯，所以一般需要有相應的軟硬體資料驗證演算法，統稱為ECC。

但優點是容量比較大，現在常見的NAND快閃記憶體有1GB、2GB，更大的8GB都有，相對來說，**便宜，所以適合儲存大量的資料。 它在嵌入式系統中的作用相當於 PC 上的硬碟，用於儲存大量資料。 NOR Flash有乙個類似於DRAM的位址匯流排，所以可以直接連線到CPU，CPU可以通過位址匯流排直接訪問NOR Flash，而NAND Flash沒有這種匯流排，只有IO介面，只能通過IO介面傳送命令和位址來訪問NAND Flash的內部資料。

相比之下，NOR Flash就像並行接入，而NAND Flash是序列接入，所以相對來說，前者更快。 但是，由於物理工藝製造的原因，NOR和NAND的特性在一些具體操作中是不同的。 希望它對你有用。

請參閱如何編寫適用於 Linux 的 NAND 快閃記憶體驅動程式。 ]

效能差異：對於flash的寫入速度，其實就是寫和擦除的綜合速度，NAND快閃記憶體擦除非常簡單，而NOR快閃記憶體需要把所有位都寫到0（這裡說明一下，flash裝置寫入只能寫1到0，不能寫0到1，也就是 它的寫入方式是符合邏輯的，例如，原始位址上的資料是0x01，寫0x98，位址中存在的資料是0x01&0x98=0x00），NOR Flash大約需要700ms來寫入和擦除乙個64KB的塊，而NAND Flash只需要4ms來執行乙個32KB的塊。

容量差異：NAND快閃記憶體的容量比NOR快閃記憶體大得多，為1-32MB，所以對於嵌入式裝置來說，NAND可以作為U盤或SD儲存介質，NOR可以用來儲存程式，如果速度不是太在意，**可以在其中執行。

資料可靠性：Flash器件是按位操作的，所以容易引起位元交換，NAND Flash比NOR出現次數多，所以NAND Flash使用ECC演算法來保證資料的可靠性。 下乙個預覽：

NAND快閃記憶體硬體介面和驅動程式實現。

Nor = not 或 nand = not 和 是乙個通用邏輯表示式級別，可以用 nor 或 nand 表示，也可以用 xor 表示。 估計在使用實際儲存時會使用一些邏輯轉換]。

你可以看看這個，它寫得很清楚。

Nandflash 和 Norflash 之間的區別：

1.介面差異。

NOR型快閃記憶體中使用的SRAM介面提供了足夠的位址引腳進行定址，並且可以輕鬆訪問晶元中的每個位元組; NAND 快閃記憶體使用複雜的 I-O 埠序列訪問資料，方法可能因產品或供應商而異，但它通常使用 8 個 I-O 引腳來傳輸控制、位址和資料資訊。

2）讀寫的基本單位：

NOR型flash操作基於“word”，而NAND型flash使用“page”作為基本單位，頁面大小一般為512位元組。

3）效能對比：

NOR型快閃記憶體的位址線和資料線是分開的，傳輸效率非常高，程式可以在晶元內部執行，NOR型的讀取速度比NAND略快; NAND快閃記憶體的寫入速度比NOR快閃記憶體快得多，因為NAND讀寫是基於頁面的。

4）容量和成本：

NAND快閃記憶體具有較高的單元密度，可以做得比較大的容量，並且其生產工藝更簡單，**低; NOR型快閃記憶體佔據了1 16MB快閃記憶體市場的大部分，而NAND型快閃記憶體僅用於8 128MB產品，這也說明NOR主要應用於**儲存介質，NAND適用於資料儲存在CompactFlash、PC卡、MMC儲存卡市場中佔據最大份額。

5）軟體支援：

NAND和NOR快閃記憶體在寫入和擦除時都需要MTD（Memory Technology Drivers，MTD已整合在快閃記憶體晶元內部，是操作快閃記憶體的介面），這是它們的共同特點; 但是，在 NOR 型快閃記憶體**上執行不需要任何軟體支援，要在 NAND 快閃記憶體上執行相同的操作，通常需要驅動程式，即記憶體技術驅動程式 MTD。