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電晶體分為三個極點,基極B,發射級E和集電極級C。
如果B和E串聯,則C級提供電壓,剛性三極體正偏置並處於放大狀態。
同樣,在BC系列中,E極提供負電,即保持電平狀態。
C和E串聯,電晶體因短路直接燒毀。
靜態表示式:
IC xib,x 是電晶體的放大因子,它不應該是 beta 表示,我不知道如何輸入那個符號。
IC大約等於IE
三極體,即基極電阻,一般用於維持正偏置放大功能,集電極電阻是限流效果。 在C極提供正電的情況下,BC可以通過電阻串聯,電阻也被放大,但這種放大是反饋放大,具有穩定放大的作用。
電晶體的一般功能是放大和開關。
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3 個州。 1.截止區。
2.線性防大區。
3.反正還有乙個忘記,看看它的傳導特性就知道了。
根據每個區域的特點設計不同的應用。
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模擬電路用於放大,數位電路用於開關。
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首先,我們要了解電晶體的基本原理,電晶體是電流的乙個通道,有乙個電極來控制通道和關斷,如果電晶體的基本原理用這樣的比喻比較牽強,在設計電晶體的布局上,它是非常準確的, 我們先畫一條綠線代表通道,然後在通道上畫一條紅線來代表控制門,就像路上的綠道和警察掌握的紅燈一樣,綠道中的電流取決於警察的臉。但是,在積體電路中,溝道不叫溝道,而是有源區,名字很奇怪,但很容易記住,我們通常稱半導體器件為有源器件,電阻器和電容器是無源器件,電晶體是有源器件,所以只要記住與電晶體相關的區域稱為有源區即可。 源極和漏極由n型或p型半導體材料組成,源極和漏極之間放置一層多晶矽作為柵極,形成MOS三極體。
當許多電晶體一起製成時,積體電路。 積體電路真的就是這麼簡單,請不要問半導體為什麼導電等目前被認為無關緊要的問題,我們在這裡的是如何快速學習設計積體電路,而不是半導體理論。
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這三個極點分別稱為基極、集電極和發射極。
它由夾在p型半導體之間的兩個n型半導體組成,兩個p-n結將電晶體分為三個區域:基極區、發射區和集電極區。 在發射區和基區之間形成的PN結稱為發射結,而在集電極區和基區之間形成的PN結稱為集電極結,三根引線分別稱為發射極E、基極B和集電極。
當B點的電位比E點的電位高幾伏時,發射結處於正偏差狀態,當C點的電位比B點的電位高幾伏時,集電極結處於反向偏置狀態,集電極功率EC高於基極電源的電位。
由於基極區較薄,加上集電極結的反向偏置,注入基區的電子大部分穿過集電極結進入集電極區,形成集電極集電極集體IC,只留下少數(1-10%)電子在空穴的基區進行復合, 復合基區空穴由基極功率EB再補充,從而根據電流連續性原理形成基極電流Bo:LE=IB+IC,也就是說,在基極處加乙個非常小的B,就可以在集電極上得到乙個較大的IC,這就是所謂的電流放大, IC和B要保持一定的比例關係,即:1=IC B公式:
稱為直流放大,集電極電流AIC的變化與基極電流b的變化之比為: =IC 在公式IB中--稱為交流電流放大,因為1的值和低頻時相差不大,所以有時為了方便起見,兩者沒有嚴格區分, 值大約在幾十到一百多個。電晶體是一種電流放大器器件,但在實際使用中,經常使用三極體的電流放大效應,通過電阻將電壓放大效應轉化為電壓放大。
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三極體的三個電極是:發射極、基極和集電極。